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我们常说的MOS管的导通阻抗是指什么状态下的

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楼主
通常我们都会说,NMOS的导通阻抗小,只有几十mohm,PMOS的导通阻抗大,有100mohm多;
那么想问一下,MOS管的三个工作状态:截止区、饱和区、可变电阻区;
这个我们此时说的导通阻抗,是指的MOS管的什么区?

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xch 2022-6-2 18:42 回复TA
可变电阻区 

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沙发
叶春勇| | 2022-6-2 10:44 | 只看该作者

rds(on) 是在vgs=10V下测的。
这要看mos管的测试电路。
不过参考图示仪的电路,应该是个共源电路。
饱不饱和,取决于漏极上面的电阻。
是不是可变电阻区,取决于vds的电压。

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板凳
jimtien| | 2022-6-2 11:12 | 只看该作者
看数据手册中关于 Rds(on) 的数值就知道,Rds(on)的大小与Vgs有关,这不正是变阻区的性质嘛




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地板
coody| | 2022-6-2 15:51 | 只看该作者
顾名思义,当然是导通状下的。

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Siderlee| | 2022-6-4 20:53 | 只看该作者
导通阻抗   饱和区

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Siderlee| | 2022-6-4 20:54 | 只看该作者
现在什么都要审核吗

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7
mcu5i51| | 2022-6-5 08:07 | 只看该作者
工作条件看手册

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zlf1208| | 2022-6-6 12:31 | 只看该作者
开关电路,MOS管工作在截至区和饱和区(忽略过渡过程)
模拟电路,MOS管工作在可变电阻区

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