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很多文章认为，EFT的电荷积累机理，大体如下
EFT单个脉冲能量较小 ，一般不会对设 备造成影响。但它是持续一段时间的单极性脉冲串，会对设备半导体结电容充电产生累积 ，最后达到并超过芯 片抗 扰 度 电平 时 ，
甚 至 会造 成数 字 系统 的位 错 、复位、内存错误以及死机等现象。
但是实际测试过程中，经常会出现如果EFT的第一个脉冲如果没有问题，也就不会有问题的。大部分问题都出现在第一个EFT脉冲。
而且我认为（没有设备和数据支持）如果EFT脉冲是一组正脉冲串紧跟一组负脉冲串，这样的测试会更为苛刻。这样的条件下，电荷积累的机理更不会发生。
如果是电荷积累机理的话，ESD试验也就1个脉冲，同样会导致复位，内存错误，死机的现象
综上所述，我认为EFT的作用机理与所谓的电荷积累无关 |
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