5、典型设计电路 无源晶振的典型应用电路如下图3所示:
C1,C2为谐振电容,根据上面的方法可以计算。 R2,R4可根据实际情况更换为低阻抗的磁珠。 R3为反馈电阻,一般都大于1M。并联1MΩ电阻可以帮助晶振起振。因此,当发生程序启动慢或不运行时,建议给晶振并联1MΩ的电阻。 这个1MΩ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区不存在增益, 而在没有增益的条件下晶振不起振。简而言之,并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗,即提升了增益,缩短了晶振起振时间,达到了晶振起振更容易之目的。 C3为预设计,可根据测试情况增加或调整。
图 3 无源晶振典型电路 有源晶振典型电路如下图4,其中: R1为预留匹配设计,可根据实际情况进行调整或更换磁珠处理
C1为预留设计,可根据实际情况进行增加或调整处理 L1主要为了放置晶振的高频噪声串入电源
图 4
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