光耦固态继电器可控硅三者的区别

发表于 2012-4-5 16:03

请教给位大侠：

光耦固态继电器可控硅三者的区别？

谢谢

发表于 2012-4-5 16:40

单说区别，这个范围太广了吧，电压电流驱动类型应用场合等
说说具体你想知道什么。

发表于 2012-4-5 16:46

原理和内部结构

发表于 2012-4-5 16:53

建议，下3份规格书，这个比问得出的结论要深刻。
当然，有条件，自己动手调试下，更好。

发表于 2012-4-5 18:01

要不来个更加偷懒的方法：去百度百科。

发表于 2012-4-5 21:13

光耦和固态继电器是隔离的，可控硅不是。
固态继电器和可控硅一般是大功率的、控制交流信号，可光耦一般是小功率的、直流的。

发表于 2012-4-16 20:48

光耦合可控硅应该说是固态继电器的一部分
固态继电器里一般是通过光耦进行隔离控制输出端的可控硅的开关，进一步控制后面的电流负载

发表于 2012-5-12 22:42

固态继电器内部结构很简单，光耦+可控硅+2只电阻=固态继电器

发表于 2012-5-19 08:36

晕

发表于 2012-6-20 22:40

照我经验看来，固态继电器只能做到开关电路。也就是说它只能开或关。不能调节

可控硅和光耦可以做到线性的模拟量，一定意义上来说，比如可以调节灯光等。
但是可控硅和光耦的区别很大，可控硅的控制电流很大，几十A都没问题，可直接接负载。但光耦电流很小，仅能做前端控制使用。除非接的负载电流很小。

发表于 2012-7-1 00:47

可控硅通过的是数字设备：
电压低电流低速度快封装小
固态继电器是功率设备：
控制端电压较高，电流相对较大，多用于模拟系统控制，无触点电子开关，隔离电压相对较低。
前级电路接通后级接通，前级电路关闭后后级关闭。

光藕也是控制电压相近的设备，有光电隔离，防干扰能力强。成本高于三极管。

光耦 固态继电器 可控硅 三者的区别