发新帖我要提问
返回列表
打印
[技术讨论]

gd和st单片机驱动mos管的问题

[复制链接]
624|11
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
清风致影|  楼主 | 2022-6-28 08:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
ST, os, st单片机, 单片机驱动
本帖最后由 清风致影 于 2022-6-28 08:53 编辑

有2个板子，PCB一模一样，唯一区别是单片机分别用stm32f103和gd32f103单片机，用单片机的IO控制一个P-mos管开断，控制电源使用，
发现st单片机工作正常，gd的单片机打开mos管后，程序容易跑飞。请问可能是什么原因 谢谢


123.jpg (85.33 KB )

123.jpg

使用特权

评论回复 赏
评论
王栋春 2022-6-29 07:46 回复TA
@tyw ：收到，谢谢。 
tyw 2022-6-29 07:24 回复TA
@王栋春 ：检查MCU_IO端在0,1两种状态下的电压,比较ST与GD机型下的差异.查资料找出差异原因. 
王栋春 2022-6-28 22:42 回复TA
@tyw ：前辈能简单解释一下吗？ 
tyw 2022-6-28 10:25 回复TA
@清风致影 ：去油香收 
清风致影 2022-6-28 09:20 回复TA
@tyw ：abc1085@163.com 
tyw 2022-6-28 09:01 回复TA
你的油香退信了,晕 
tyw 2022-6-28 08:58 回复TA
去油香收 

相关下载

相关帖子
沙发
fzyuan| | 2022-6-29 08:54 | 只看该作者
大概率是3.3V电源不够强、Ex_Power端有较大电容（电容量与3.3V端的可比）造成的，
可在MOS管的G、D端接一个10nF～100nF的电容试试，注意不要把这个电容接到G、S。
也可以加大3.3V端电容，减小Ex_Power端电容。
还有可能是PCB布线问题。

不同的芯片存在指标上的差异，但显然还不是“芯片问题”。

使用特权

评论回复 赏
板凳
清风致影|  楼主 | 2022-6-29 09:06 | 只看该作者
fzyuan 发表于 2022-6-29 08:54
大概率是3.3V电源不够强、Ex_Power端有较大电容（电容量与3.3V端的可比）造成的，
可在MOS管的G、D端接一个 ...

的确是，expower有个100uf电容。
用示波器看了下，因为打开mos后，造成单片机电源波动，刚好gd比st工作电压要低，所以引起了单片机复位。

使用特权

评论回复 赏
地板
coody| | 2022-6-29 15:39 | 只看该作者
基本是MOSFET后有大电容，甚至比前面的电容大，电容充电电压不能突变，所以瞬间拉低了前面的电压，特别是用低ESR的电容时。如果用SOT23封装的MOSFET，后面的大电容会有引起MOSFET过流烧坏的风险。

使用特权

评论回复 赏
5楼
清风致影|  楼主 | 2022-6-29 16:10 | 只看该作者
fzyuan 发表于 2022-6-29 08:54
大概率是3.3V电源不够强、Ex_Power端有较大电容（电容量与3.3V端的可比）造成的，
可在MOS管的G、D端接一个 ...

方法有效，试了47nf或者100nf，电源电压基本稳定在3.1-3.2之间。

使用特权

评论回复 赏
返回列表
发新帖 我要提问
高级模式
B Color Image Link Quote Code 收费 Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

清风致影
个人签名：我在背后默默的看着你 默默的看着你渐去渐远渐无影

164

主题

1166

帖子

2

粉丝