[技术讨论]

gd和st单片机驱动mos管的问题

[复制链接]
466|11
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
清风致影|  楼主 | 2022-6-28 08:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 清风致影 于 2022-6-28 08:53 编辑

有2个板子,PCB一模一样,唯一区别是单片机分别用stm32f103和gd32f103单片机,用单片机的IO控制一个P-mos管开断,控制电源使用,
发现st单片机工作正常,gd的单片机打开mos管后,程序容易跑飞。请问可能是什么原因 谢谢


123.jpg

使用特权

评论回复
评论
王栋春 2022-6-29 07:46 回复TA
@tyw :收到,谢谢。 
tyw 2022-6-29 07:24 回复TA
@王栋春 :检查MCU_IO端在0,1两种状态下的电压,比较ST与GD机型下的差异.查资料找出差异原因. 
王栋春 2022-6-28 22:42 回复TA
@tyw :前辈能简单解释一下吗? 
tyw 2022-6-28 10:25 回复TA
@清风致影 :去油香收 
清风致影 2022-6-28 09:20 回复TA
@tyw :abc1085@163.com 
tyw 2022-6-28 09:01 回复TA
你的油香退信了,晕 
tyw 2022-6-28 08:58 回复TA
去油香收 

相关帖子

fzyuan| | 2022-6-29 08:54 | 显示全部楼层
大概率是3.3V电源不够强、Ex_Power端有较大电容(电容量与3.3V端的可比)造成的,
可在MOS管的G、D端接一个10nF~100nF的电容试试,注意不要把这个电容接到G、S。
也可以加大3.3V端电容,减小Ex_Power端电容。
还有可能是PCB布线问题。

不同的芯片存在指标上的差异,但显然还不是“芯片问题”。

使用特权

评论回复
清风致影|  楼主 | 2022-6-29 09:06 | 显示全部楼层
fzyuan 发表于 2022-6-29 08:54
大概率是3.3V电源不够强、Ex_Power端有较大电容(电容量与3.3V端的可比)造成的,
可在MOS管的G、D端接一个 ...

的确是,expower有个100uf电容。
用示波器看了下,因为打开mos后,造成单片机电源波动,刚好gd比st工作电压要低,所以引起了单片机复位。

使用特权

评论回复
coody| | 2022-6-29 15:39 | 显示全部楼层
基本是MOSFET后有大电容,甚至比前面的电容大,电容充电电压不能突变,所以瞬间拉低了前面的电压,特别是用低ESR的电容时。如果用SOT23封装的MOSFET,后面的大电容会有引起MOSFET过流烧坏的风险。

使用特权

评论回复
清风致影|  楼主 | 2022-6-29 16:10 | 显示全部楼层
fzyuan 发表于 2022-6-29 08:54
大概率是3.3V电源不够强、Ex_Power端有较大电容(电容量与3.3V端的可比)造成的,
可在MOS管的G、D端接一个 ...

方法有效,试了47nf或者100nf,电源电压基本稳定在3.1-3.2之间。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

个人签名:我在背后默默的看着你 默默的看着你渐去渐远渐无影

161

主题

1162

帖子

2

粉丝