SiC器件的优点
与传统硅基器件相比：
1>. 低导通电阻特性：正向损耗小，可流过大电流，SBD可以达到几安~几十安,
MOSFET 可以达到几安~上百安；--- 功率器件
目前SiC功率器件主要包括是：
SBD（JBS）(肖特基二极管）、
MOSFET(金属氧化物半导体场效应管，或者金属氧化物半导体晶体管）
IGBT(绝缘栅双极型晶体管）。而IGBT包括IGBT模块和单管。
2>. 高频特性：---- 高频器件（暂时我们没做）
3>. 耐高温高压。温度 -55° ~ 175°，耐压高达1700V。
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