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STM32F4的外部晶振不同带来的改变

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楼主
(1)stm32f4xx.h里面的

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沙发
铁血丹心LLLL|  楼主 | 2022-6-30 18:31 | 只看该作者
(2)

system_stm32f4xx.c

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板凳
铁血丹心LLLL|  楼主 | 2022-6-30 18:32 | 只看该作者
外部内存的FSMC也要改(改了肯定OK,不改行不行我不大清楚)(后来试验了,下面这句不改也可以)

readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x04;改为 writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;



就是说经过上面两处改动,系统时钟仍然是168M,如下:

#if defined(STM32F40_41xxx)
  uint32_t SystemCoreClock = 168000000;
#endif /* STM32F40_41xxx */

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地板
铁血丹心LLLL|  楼主 | 2022-6-30 18:35 | 只看该作者
说还要改

修改STM32F407工程的Options设置

在Option for target"Flash"窗口中,选择Target页面,修改STMicroelectronics STM32F407VG栏中Xtal(MHz)的值为25.0

这个链接STM32晶振8M改12M方法说出了  修改Options设置的原因。

这个链接STM32使用非8M晶振时如何修改代码 也说出了修改Options设置的原因。和上面链接原因一样,就是影响调试的观察值。



那么  25M好 还是8M好呢?

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5
铁血丹心LLLL|  楼主 | 2022-6-30 18:36 | 只看该作者
另外感觉 ST早期的例子用的是8M,后期的例子用的是25M

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6
sparrow054| | 2022-7-3 10:50 | 只看该作者
和不同的系列有关吧

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7
Uriah| | 2022-10-5 14:06 | 只看该作者

具存储功能的存储器芯片也能加密

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8
Bblythe| | 2022-10-5 17:05 | 只看该作者

大部分能够读取或者识别Flash上的数据就能够获得Firmware文件

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9
Pulitzer| | 2023-4-1 07:05 | 只看该作者

主从定时器门控的方式

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10
公羊子丹| | 2023-4-1 08:08 | 只看该作者

都可以产生指定个数的PWM脉冲

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11
公羊子丹| | 2023-4-1 09:01 | 只看该作者

中断计数的方式实现简

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12
万图| | 2023-4-1 10:04 | 只看该作者

当PWM频率较高时,频繁的中断将影响程序运行的效率

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13
Clyde011| | 2023-4-1 11:07 | 只看该作者

从定时器为TIM2,从模式选择为门控模式,触发源选择ITR0,开启定时器2中断。

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14
万图| | 2023-4-1 13:03 | 只看该作者

输出了5个频率为10KHz的PWM脉冲

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15
Uriah| | 2023-4-1 14:06 | 只看该作者

使能主从模式,触发事件选择为更新事件,不需要开启中断。

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16
帛灿灿| | 2023-4-1 16:02 | 只看该作者

根据实际需求选择用哪种方式

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17
Bblythe| | 2023-4-1 17:05 | 只看该作者

主定时器为TIM1,通道2配置为PWM输出

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18
童雨竹| | 2023-4-1 19:01 | 只看该作者

主从定时的方式占用CPU资源少

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