mos管的输入电容随着栅极信号频率发生变化？

发表于 2012-4-6 21:42

以什么规律变化？

我发现我提高频率不算大，输入电容好像变化挺大。

有这样事吗？

发表于 2012-4-6 22:54

关注此贴！貌似门极内部的RG只能轻微地影响“视在电容量”（自已发明的叫法）

发表于 2012-4-7 11:44

测试电路结构：方波输入通过 rc（rc并联）接到mos管栅极，栅极有对地电阻。

方波幅度实测没有变化 7.4v 。调整方波频率从14k 到17.5k 到23k

实测栅极幅度为7.8v到6.8v到6.19v

问题出现在哪里？

发表于 2012-4-7 11:59

频率降到零，栅极电压还是方波驱动源的幅值呢。

低频方波分压得到的幅值高一些，是因为脉宽大些，除了c与ciss分压，还有r给ciss充电时间也久一些

发表于 2012-4-7 12:45

蚂蚁老师是何意思？

意思是频率越高，栅极得到的电压越小？是正常的？不是ciss变化引起的？

2、源是7.4v ，为什么频率14k的时候，栅极出现了7.8v ？？大于源头了

登录 · 发表于 2012-4-7 12:55

RLC网络，负载端电压上不一定比源电压低。

因为C的并入，RG失去阻尼作用，回路Q值比较高，局部出现高电压正常不过。

你最好贴上驱动源的波形入栅极波形

发表于 2012-4-7 17:01

(Zgs//Rg)/(Zgs//Rg r//c)，Zgs为栅源电容阻抗，Rg是你说的栅极接地电阻。由文氏桥知道这是带通……我没深入去分析

发表于 2012-4-7 17:03

哦，不对，不是文氏桥

发表于 2012-4-7 17:05

要不你看看两r//c相串后中点的波特图