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碳化硅MOS(SiC MOSFET)隔离型双向DCDC变换器-拓扑结构与控制方法

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碳化硅MOS管|  楼主 | 2022-8-20 16:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 碳化硅MOS管 于 2022-8-20 16:59 编辑

碳化硅MOS(Sic MOSFET)隔离型双向DCDC变换器-拓扑结构与控制方法:                https://pan.baidu.com/disk/pdfview?path=%2F%E7%A2%B3%E5%8C%96%E7%A1%85MOS%E7%AE%A1-SiC%20MOSFET%E4%B8%8E%E9%9A%94%E7%A6%BB%E5%9E%8B%E5%8F%8C%E5%90%91DCDC%E5%8F%98%E6%8D%A2%E5%99%A8-%E6%8B%93%E6%89%91%E7%BB%93%E6%9E%84%E4%B8%8E%E6%8E%A7%E5%88%B6%E6%96%B9%E6%B3%95.pdf&fsid=147955804206737&size=35607876

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本帖最后由 碳化硅MOS管 于 2022-11-1 13:57 编辑

国产碳化硅MOS管 是供应链的本土化采购的必然趋势。https://pan.baidu.com/s/1_3QdTU7XOziC3ycWzjzQdg?pwd=bv6u  提取码 bv6u

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SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。

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