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基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出采用超小 DFN 封装的新系列 20 V和 30 V MOSFET DFN0603。
Nexperia（安世半导体）早前已经提供采用该封装的 ESD 保护器件，如今更进一步，Nexperia（安世半导体）成功地将该封装技术运用到 MOSFET 产品组合中，成为行业竞争的领跑者。 新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能（AI）和机器学习（ML）技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着功耗的增加，散热也成为一个不容忽视的问题。 Nexperia（安世半导体）作为分立器件生产行业领导者，凭借数十年经验的沉淀，设计出这一超小尺寸的创新型 MOSFET 系列，成功地克服了这两个问题。超薄型 DFN0603 封装，尺寸仅为 0.63 x 0.33 x 0.25 mm，比第二小封装（DFN0604）的 MOSFET 使用的空间少 13%。令人惊叹的是，这种尺寸上的缩小毫不影响器件性能，事实上，这些 MOSFET 的 RDS(on)减少了 74%，这有助于提高效率，从而使可穿戴设备设计师能够实现更大的功率密度。 该新系列小型MOSFET包括：
▶ PMX100UN 20V，N沟道Trench MOSFET ▶ PMX100UNE 20V，N沟道Trench MOSFET，带2kV ESD保护(HBM) ▶ PMX300UNE 30V，N沟道Trench MOSFET ▶ PMX400UP 20V，P沟道Trench MOSFET Nexperia（安世半导体）计划于 2022 年下半年为该系列再增加两款 MOSFET。
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