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[N32G03x]

N32G031 LP RUN模式

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sy12138|  楼主 | 2022-8-31 17:19 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
今天在看N32G031用户手册低功耗章节的时候发现有一个LPRUN模式,让系统处于LSI或者LSE的低频工作状态,以此来减小功耗。
然后深入了解发现LPRUN模式也有两种配置,一种是让flash处于正常工作状态,另一种是让Flash进入深度睡眠模式,这种状态下可以让功耗变得更低
为了验证用户手册这一说法,我配置好代码做了低功耗实验,代码配置如下:
flash正常工作状态:
Delay(200);
       
PWR_EnterLowPowerRunMode(PWR_LPRUN_EFLASH_ACTIVE,LSI); //选择LPRUN模式下flash功耗状态、时钟源LSI或LSE
       
Delay(1);
       
PWR_ExitLowPowerRunMode();
       
SetSysClockToPLL(48000000,SYSCLK_USE_HSI);
flash深度睡眠模式
Delay(200);
       
PWR_EnterLowPowerRunMode(PWR_LPRUN_EFLASH_DEEEPSTANDBY,LSI);
               
Delay(1);
       
PWR_ExitLowPowerRunMode();
       
SetSysClockToPLL(48000000,SYSCLK_USE_HSI);

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沙发
sy12138|  楼主 | 2022-8-31 17:22 | 只看该作者
然后就发现一个很奇怪的现象,同样都是delay(1)之后离开低功耗,但是两者的时间却相差很大

e434ea0e00574a28e227217257cc67f.png (340.41 KB )

flash正常运行

flash正常运行

5edfe42ee2cbc96df8245f3ea0d3789.png (349.39 KB )

flash深度睡眠

flash深度睡眠

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板凳
sy12138|  楼主 | 2022-8-31 17:51 | 只看该作者
发现问题了,仔细看了用户手册才知道,flash深度睡眠模式需要在代码在SRAM中运行时才可以配置,如果在flash中运行就不能配置,怪不得测试的时候发现两个模式功耗差不多,原来是没有配置成功

9582fc95f841666e6101cf980963cce.png (72.97 KB )

9582fc95f841666e6101cf980963cce.png

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地板
sy12138|  楼主 | 2022-8-31 18:18 | 只看该作者
后续找了一下怎么让代码在SRAM中运行,发现了国民的一篇应用笔记,让代码在SRAM中运行

AN_N32G45x_FR_WB系列芯片_在SRAM中运行代码应用笔记_V1.0.pdf

1.65 MB

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