本帖最后由 SUUY79 于 2022-9-10 12:41 编辑
HC32L110系列的低功耗片子,想采用外部32.768K的低速晶振来获取高精度的低功耗操作,现在的问题是:晶振的参数:晶振频率:32.768K,负载电容:12.5PF,并联电容:1.1PF,ESR:70K
计算得到的gmcrit=2.195uA/V,按照跨导裕度要求,芯片gm要大于5倍gmcrit,也就是说芯片的要gm≥11uA/V才行,查芯片手册gm=2.5uA/V,远不能满足要求?
另外,关于REXT的取值,一般取匹配电容的容抗值,则当匹配电容选择22PF时,计算到的REXT=220KΩ,是否合理?
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