求教达人一堆问题~ 首先 磁损密度pv 正比于 磁通密度值Bm以及 频率f,
现在想选择 一个合适磁通密度值Bm 及相应的磁导率u 来计算所需AP值以及磁芯体积, 那么这3个图怎么用??
第三个图 (磁损密度VS温度曲线)是不是指 磁芯温度越高,则允许的磁损密度pv越小?
假定工作频率60K 是不是该如下设计?
(1) 由第三个图(虽然默认为100K频率测试值,但依旧用他)为了Bm在2000GS左右时,磁芯温度不超过100C,则 允许 磁损密度 不许超过 360mW/cm^3 ,
(2)接着代入第二个图,大致虚拟出一条60K的曲线,则为了磁损密度不超过 360mW/cm^3则 允许的最大磁通密度值Bm约2400GS,
(3)则再由第一个图,60C或100C的 Bm=2400GS处的 磁导率u 约为 2400GS/0.8 oe=3000 ~
以上过程的 步骤(1)中,直接拿 100K的曲线来估算 60K工作频率的 磁损密度 行不行?
谢谢了 |