项目 FRAM MRAM BBSRAM NVSRAM NVRAM
存储材料 铁晶体材料 磁材料 SRAM+电池 SRAM+EEPROM SRAM+EEPROM
访问周期 访问速度+充电 访问速度 访问速度 访问速度 访问速度
读写速度 60ns+30ns 35ns 25ns 25ns 12ns
低压保护 无 无 无 有 有
工作电流 8mA 150mA 50mA 75mA 50mA
配置可靠 低 高 低 高 高
电场影响 有 无 无 无 无
电池影响 无 有 无 无 无
生产工艺 铁晶体+CMOS 磁晶体+CMOS 电池+CMOS CMOS CMOS
访问接口 IIC、SPI、QSPI、并口 SPI、QSPI、并口 SPI、并口 IIC、SPI、QSPI、并口 SPI、QSPI、并口
存储容量 无 无 无 有 有
最大容量 16M 32M 1G 16M 8M(可做到1G） |
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