【STM32】SRAM启动

只看该作者 · 2022-9-26 23:25

创建工程的调试版本

该操作调试版本会复制原工程的配置

只看该作者 · 2022-9-26 23:28

修改FLASH的目标配置
用的是STM32F103C8T6
RAM起始地址为是0x2000 0000大小为20KB，
这里用12KB大小的RAM作为虚拟ROM，用8KB的RAM作为RAM
虚拟ROM起始地址0x2000 0000大小0x3000
RAM起始地址0x2000 3000大小0x2000

只看该作者 · 2022-9-26 23:30

只看该作者 · 2022-9-26 23:41

配置分散加载文件
keil STM32中sct 分散加载文件学习

只看该作者 · 2022-9-26 23:53

注意要与FLASH下的目标配置一致
虚拟ROM起始地址0x2000 0000大小0x3000
RAM起始地址0x2000 3000大小0x2000

只看该作者 · 2022-9-26 23:54

; *************************************************************
; *** Scatter-Loading Description File generated by uVision ***
; *************************************************************

LR_IROM1 0x20000000 0x00003000  { ; load region size_region
  ER_IROM1 0x20000000 0x00003000  {  ; load address = execution address
*.o (RESET, +First)
*(InRoot$$Sections)
.ANY (+RO)
.ANY (+XO)
  }
  RW_IRAM1 0x20003000 0x00002000  {  ; RW data
.ANY (+RW +ZI)
  }
}

只看该作者 · 2022-9-26 23:54

配置中断向量表
编译选项中加入宏 VECT_TAB_SRAM ，在“Options for Target-> c/c+±>Define”框中输入宏VECT_TAB_SRAM ，注意它与其它宏之间要使用英文逗号分隔开。配置完成后重新编译工程，即可生成存储到 SRAM 空间地址的代码指令。

只看该作者 · 2022-9-26 23:55

只看该作者 · 2022-9-26 23:57

修改 FLASH 下载配置

Download Function中的擦除选项配置为Do not Erase
这是因为数据写入到内部SRAM 中不需要像 FLASH 那样先擦除后写入。在本工程中，如果我们不选择“Do not Erase”的话，会因为擦除过程导致下载出错。

RAM for Algorithm指“编程算法” (Programming Algorithm) 可使用的 RAM 空间

虚拟ROM地址与大小，与上面目标配置一致

只看该作者 · 2022-9-26 23:58

仿真器配置
需要勾选Verify Code Download及Download to FLASH选项，也就是说点击调试按钮后，本工程的程序会被下载到内部 SRAM 中，只有勾选了这两个选项才能正常仿真

只看该作者 · 2022-9-26 23:59

BOOT配置