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快恢复二极管芯片PN结构终止区用采用玻璃钝化技术，其热膨胀系数与硅的热膨胀系数相匹配。所有的硅芯片越来越多的使用保护环平面技术和沟道阻断来降低芯片的表面电场。
芯片的接触区域真空沉积金属层，实质上这有助于它们的高功率循环应用能力和适合芯片的封装工艺。所有在硅晶圆片上加工处理的芯片在样品测试后，自动标识不符合电气说明的芯片，然后世成小颗粒。芯片颗粒的可形状是正方形或长方形的。玻璃钝化平面处理二极管芯片终端截面的扩散层如图2所示。
现在整个晶片的底部表面可直接焊接到DCB或其他陶瓷基片，而不需要钼片段冲应力。消除了应力缓冲和焊层，减少了热阻，从而增加了阻断电压的稳定性，降低了FRED的正向压降，在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压，所以也降低了二极管的功率损耗。
FRED二极管在整个工作温度范围内性能稳定，并且对于温度的变化，正向电压降的变化可以忽略不计。该二极管是为高频应用设计的，在高频应用时稳定可靠。由于单个芯片通态电流较小，大电流情况下一般并联使用，组成大电流快恢复二极管模块。由于是并联使用，模块的反向恢复时间要比单个芯片的长。并联使用的结构如图2所示。
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