三、 PN结的伏安特性
3.1 PN结的伏安曲线
基于此，能够得到PN结的伏安特性曲线，反向电压时电流较小，当反向电压过大时PN结被击穿，因此出现骤升的电流。正向电压较小时，电流也较小，随着电压的逐渐升高，电流呈指数上升。
3.2 PN结的电流方程 电流方程为一个指数方程，
其中，Ut是一个温度相关的量，将温度转为电压，当温度为室温时，其值为26mV。U为PN结的电压。Si做基材的PN结，在U为0.6~0.7V时，PN结导通。Is为反向饱和电流。
3.3 PN结的正向特性 存在死区，死区的大小由基材决定。Si做基材时，死区为0.6V~0.7V。Ge做基材时，死区为0.2V~0.3V。
3.4 PN结的反向特性 反向电流Is，Ge做基材时，反向电流大于Si做基材时的反向电流。
反向击穿，当反向电压到达一定幅值，即反向击穿PN结，使得电流急剧上升。
（1）雪崩击穿
PN结掺杂浓度低时，PN结宽度在外加电场作用加不断加长，形成一个类似于粒子加速器的区域，自动电子撞击共价键，使得更多自由电子的出现。
温度越高，雪崩击穿需要的电压越高。
（2）齐纳击穿
PN结掺杂浓度高时，宽度虽然不大，但是电场强度较大，直接从共价键中将价电子拉出。
温度越高，齐纳击穿需要的电压越低。（温度越高，价电子越容易拉出来）
反向击穿后，PN结电流导致了其温度升高，导致PN结烧毁。当反向击穿时温度不高，并马上恢复正常状态时，PN结还能使用。
3.5 掺杂浓度与反向击穿电压的影响 掺杂浓度越低，反向击穿电压越高；掺杂浓度越高，反向击穿电压越低。通过不同掺杂浓度，控制器反向击穿电压。
四、PN结的电容效应 4.1 电容 电容反应电量与电压的关系，当两端的电压发生变化时，其电荷量也发生变化。
在相同的电压范围内，电容值的不同，代表着，电容能够储存的电荷量不同。
4.2 势垒电容 （反向电压） 势垒电容不是线性的，随着反向电压的增加，其P区N区的电荷量逐渐增大，与电容的概念相同。
4.3 扩散电容 （正向电压） 当施加的正向电压发生变化时，其两端的电荷量也会随之发生改变，这种性质称为电容。由非平衡少子和电压之间的关系构成的。
如图所示，2为在1的基础上增大电压，P区少子 浓度增大，3为在1的基础上减小电压，P区少子浓度减小。因此在电压升高时，电荷量增大，电压降低时，电荷量减少。这就是扩散电容。
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