技术交流-MCU中加载预驱

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 楼主| super小蔚 发表于 2022-10-19 09:41 | 显示全部楼层 |阅读模式
想问一下,为什么预驱集成在MCU中耐压做不高,预驱耐压对MCU都有哪些影响?
ufbycd 发表于 2022-10-20 09:38 | 显示全部楼层
线路电压越高就要求其对邻近电路的绝缘要求越高,常规制程的集成电路不是专为高电压而设计,绝缘性能非常有限,所以集成式预驱很难做到高电压。
 楼主| super小蔚 发表于 2022-10-20 17:38 | 显示全部楼层
ufbycd 发表于 2022-10-20 09:38
线路电压越高就要求其对邻近电路的绝缘要求越高,常规制程的集成电路不是专为高电压而设计,绝缘性能非常有 ...

谢谢解答!
还有一般预驱的耐压都由哪些参数决定呀?
如果要驱动一定瓦数的电机,那这个瓦数相应的对MCU,对预驱,对MOS的要求,都会体现在哪些参数上呢?
鸥芯电驱港港 发表于 2022-10-21 09:28 | 显示全部楼层
本帖最后由 鸥芯电驱港港 于 2022-10-21 09:32 编辑
super小蔚 发表于 2022-10-20 17:38
谢谢解答!
还有一般预驱的耐压都由哪些参数决定呀?
如果要驱动一定瓦数的电机,那这个瓦数相应的对MCU ...

芯片端预驱耐压我们主要看芯片的VS脚耐压,这部分可以看VS连接在驱动桥臂的什么位置就知道了。预驱瓦数一般只与功率器件有关,如MOS,IGBT,IPM等功率大小有管,预驱只是提供功率器件的开通电压和电流,看预驱输出电压和电流能不能适配好驱动对应的功率器件。MCU本身与驱动电机瓦数没有直接关系。MOS一般100W一下使用上桥PMOS,下桥NMOS(有点电路简单),大约100W使用上下桥都使用NMOS。PMOS导通内阻大,速度慢,价格贵,电机电流大的话MOS发热严重,时间长最终会导致MOS损坏。
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