一般描述
FP5207B 是非同步升壓控制 IC，透過 EXT Pin 控制外部 NMOS，輸入低啟動電壓 2.8V 與寬
工作電壓 5V~24V，單節鋰電池 3V~4.2V 應用，將 Vout 接到 HVDD Pin；精準的反饋電壓 1.2V，
軟啟動時間由外部電容調整，工作頻率由外部電阻調整；過電流保護，檢測電感峰值電流，檢測電
阻 Rcs 接在開關 NMOS Source 端與地之間。
特色
➢ 啟動電壓 2.8V
➢ 工作電壓範圍 5V~24V（输入高于24V，可在HVDD加稳压）
➢ 反饋電壓 1.2V (±2%)
➢ 關機耗電流小於 3μA
➢ 可調工作頻率 100kHz~1000kHz
➢ 可調軟啟動時間
➢ 輸入低電壓保護(UVP)
➢ 可調過電流保護(OCP)
➢ 過溫保護(OTP)
➢ 封裝 DFN-10L(EP)
應用範圍
➢ 藍牙音響
➢ 充電器
➢ 移動電源
➢ 攜帶式產品
應用元件
➢ C1、C7：輸入與輸出穩壓電容。
➢ C2、C6、C8：高頻雜訊濾波電容。
➢ C3：輸入電源接 HVDD 經過內部穩壓管到 VDS 產生 8V，此電壓會提供內部電路與 EXT Pin
驅動外部 Q2 的閘極，需要加穩壓電容。
➢ C4、C5、C13、R1、R5：系統的補償迴路，關係到系統的穩定度。
➢ C17：軟啟動電容，改變電容值調整啟動時間。
➢ L1：電感具有儲能與濾波功用，感值越大電感漣波越小，相對感值越小漣波越大。選用電感
需注意電感是否適合高頻操作，及電感額定飽和電流值。
➢ D1：當 Q2 截止時，D1 蕭特基管導通提供電感放電迴路。
➢ Q2：使用內阻低的 NMOS，Drain 端高電壓等於輸出 19V，耐壓選用 19V 的 1.5 倍。
➢ R3：Vin 與 EN 之間接 200kΩ，自動啟動 IC。
➢ R6：調整工作頻率電阻。
➢ R11、R12：分壓電阻設定輸出電壓。
➢ R8：預留作為 EMI 對策。
➢ Rcs：電感峰值電流檢測與過電流保護電阻。
➢ 大電流路徑走線要粗，鋪銅走線最佳。
➢ 開關切換連接點 L1、Q2 的 Drain 端與 D1，走線要短與粗，鋪銅走線最佳。
➢ 輸入電容 C6 靠近 HVDD 與 GND Pin，達到穩壓與濾波功效。
➢ 分壓電阻 R11/R12 靠近 FB 與 GND Pin。
➢ FB Pin 遠離開關切換點 L1、Q2 的 Drain 與 D1，避免受到干擾。
➢ 輸入電容 C1/C2 的地、輸出電容 C7/C8 與 Rcs 的地，鋪銅走線，上下層地多打洞連接。
➢ 輸出電容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低開關切換突波，降低輸出高頻雜訊。
➢ Rcs 靠近 CS 與 GND pin。
➢ 板子多餘空間建議鋪地。
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