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3105
中级工程师
使用特权
180
1441
4597
148
1462
4660
177
1274
4108
271
8400
2万
技术总监
385
8573
2
1082
3135
10
229
699
高级技术员
200
1391
4458
74
2010
6159
高级工程师
1360
1万
4万
版主
3882
资深工程师
NMOS管防反接 watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L2d1c2V0XzAz,size_16,color_FFFFFF,t_70#pic_center.jpg (101.16 KB ) 下载附件 2022-11-7 10:38 上传
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图中Q1为NMOS管,当电源正接时,MOS管的体二极管导通,源极S的电压为0.7V左右,栅极G的电压VBAT,则Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3),当选取合适的R3和R5值,使Vgs达到MOS管的开启电压,则MOS管DS极导通,体二极管被短路,系统通过MOS管形成回路。MOS管的导通电阻一般很小,毫欧级别,即使系统电流较大也不会产生很大的压降和功耗。
当电源反接时,寄生二极管反接,MOS的导通电压为0,NMOS截止,从而对系统形成保护。
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