166
1036
3105
中级工程师
使用特权
314
2345
7210
高级工程师
324
2530
7852
286
2228
7002
279
8721
2万
技术总监
406
9016
16
1443
4218
10
229
702
高级技术员
273
2361
7350
107
2336
7140
2237
1万
5万
版主
92
4252
资深工程师
NMOS管防反接 watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L2d1c2V0XzAz,size_16,color_FFFFFF,t_70#pic_center.jpg (101.16 KB ) 下载附件 2022-11-7 10:38 上传
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图中Q1为NMOS管,当电源正接时,MOS管的体二极管导通,源极S的电压为0.7V左右,栅极G的电压VBAT,则Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3),当选取合适的R3和R5值,使Vgs达到MOS管的开启电压,则MOS管DS极导通,体二极管被短路,系统通过MOS管形成回路。MOS管的导通电阻一般很小,毫欧级别,即使系统电流较大也不会产生很大的压降和功耗。
当电源反接时,寄生二极管反接,MOS的导通电压为0,NMOS截止,从而对系统形成保护。
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