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1036
3105
中级工程师
使用特权
293
2185
6820
高级工程师
290
2384
7414
265
2089
6588
279
8626
2万
技术总监
403
8896
16
1340
3909
10
229
702
高级技术员
250
1949
6114
95
2326
7107
2086
1万
4万
版主
85
4162
资深工程师
NMOS管防反接 watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L2d1c2V0XzAz,size_16,color_FFFFFF,t_70#pic_center.jpg (101.16 KB ) 下载附件 2022-11-7 10:38 上传
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图中Q1为NMOS管,当电源正接时,MOS管的体二极管导通,源极S的电压为0.7V左右,栅极G的电压VBAT,则Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3),当选取合适的R3和R5值,使Vgs达到MOS管的开启电压,则MOS管DS极导通,体二极管被短路,系统通过MOS管形成回路。MOS管的导通电阻一般很小,毫欧级别,即使系统电流较大也不会产生很大的压降和功耗。
当电源反接时,寄生二极管反接,MOS的导通电压为0,NMOS截止,从而对系统形成保护。
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