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3105
中级工程师
使用特权
280
2154
6727
高级工程师
283
2334
7264
248
1917
6072
279
8602
2万
技术总监
401
8863
16
1311
3822
10
229
702
高级技术员
246
1885
5922
95
2155
6594
2028
1万
4万
版主
85
4142
资深工程师
NMOS管防反接 watermark,type_ZmFuZ3poZW5naGVpdGk,shadow_10,text_aHR0cHM6Ly9ibG9nLmNzZG4ubmV0L2d1c2V0XzAz,size_16,color_FFFFFF,t_70#pic_center.jpg (101.16 KB ) 下载附件 2022-11-7 10:38 上传
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图中Q1为NMOS管,当电源正接时,MOS管的体二极管导通,源极S的电压为0.7V左右,栅极G的电压VBAT,则Vgs =(VBAT-0.6)*R5/(R5+R3),当选取合适的R3和R5值,使Vgs达到MOS管的开启电压,则MOS管DS极导通,体二极管被短路,系统通过MOS管形成回路。MOS管的导通电阻一般很小,毫欧级别,即使系统电流较大也不会产生很大的压降和功耗。
当电源反接时,寄生二极管反接,MOS的导通电压为0,NMOS截止,从而对系统形成保护。
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