GD32F303ZE复位时间过长怎么解决？

只看该作者 · 2022-10-24 11:14

本帖最后由 gaobq 于 2022-10-24 11:17 编辑

使用GD32F303ZE，一直都是在嘉立创SMT，GD32，晶振都是嘉立创的基础库元器件。
最近做了5块板子，程序写进去，跑不起来，焊了两块都是一样的现象。
发现在单片机的RESET脚上对地并了一个100uF的大电容，单片机就能复位成功，软件正常运行。单不明白原因，为什么这批板子复位需要时间长才行，以前的板子都是复位10k上拉电阻，100nF对地电容，同样是GD32F303，从未出现过问题。
百度上找到一篇文件，说是可能外部晶振起振时间过长，在换外部晶振处加个延时，于是就在system_gd32f30x.c文件中的外部120MHz定义处加了个软件延时，但是不起作用？
#elif defined (__SYSTEM_CLOCK_120M_PLL_HXTAL)
/*!
\brief    configure the system clock to 120M by PLL which selects HXTAL(8M) as its clock source
\param[in]  none
\param[out] none
\retval    none
*/
static void system_clock_120m_hxtal(void)
{
uint32_t timeout = 0U;
uint32_t stab_flag = 0U;
uint32_t i;

i=0xFFFFFF;
while(i--);

/* enable HXTAL */
RCU_CTL |= RCU_CTL_HXTALEN;

/* wait until HXTAL is stable or the startup time is longer than HXTAL_STARTUP_TIMEOUT */
do{
      timeout++;
      stab_flag = (RCU_CTL & RCU_CTL_HXTALSTB);
}while((0U == stab_flag) && (HXTAL_STARTUP_TIMEOUT != timeout));

/* if fail */
if(0U == (RCU_CTL & RCU_CTL_HXTALSTB)){
      while(1){
      }
}
......

请问大家有没有遇到复位时间过长的问题？是什么原因导致的？怎么解决，飞个大电容可以解决，但是太麻烦，板子上没有设置安装电容的位置。

1万 · 2022-11-4 15:24

51单片机要复位只需要在第9引脚接个高电平持续2us就可以实现

只看该作者 · 2022-11-4 15:35

电容的的大小是10uf，电阻的大小是10k。所以根据公式，可以算出电容充电到电源电压的0.7倍（单片机的电源是5V，所以充电到0.7倍即为3.5V），需要的时间是10K*10UF=0.1S。

只看该作者 · 2022-11-4 15:49

在单片机启动0.1S后，电容C两端的电压持续充电为5V，这是时候10K电阻两端的电压接近于0V，RST处于低电平所以系统正常工作。当按键按下的时候，开关导通，这个时候电容两端形成了一个回路，电容被短路，所以在按键按下的这个过程中，电容开始释放之前充的电量。随着时间的推移，电容的电压在0.1S内，从5V释放到变为了1.5V，甚至更小。根据串联电路电压为各处之和，这个时候10K电阻两端的电压为3.5V，甚至更大，所以RST引脚又接收到高电平。单片机系统自动复位。

只看该作者 · 2022-11-4 16:06

1、复位电路的原理是单片机RST引脚接收到2US以上的电平信号，只要保证电容的充放电时间大于2US，即可实现复位，所以电路中的电容值是可以改变的。 2、按键按下系统复位，是电容处于一个短路电路中，释放了所有的电能，电阻两端的电压增加引起的。

只看该作者 · 2022-11-4 16:29

当单片机上电瞬间由于电容电压不能突变会使电容两边的电位相同，此时RST为低电平，之后随着时间推移电源通过电阻对电容充电，充满电时RST为高电平。正常工作为高电平，低电平复位。即上电低电平，然后转向高电平。当单片机上电瞬间由于电容电压不能突变会使电容两边的电位相同，此时RST为高电平，之后随着时间推移电源负极通过电阻对电容放电，放完电时RST为低电平。正常工作为低电平，高电平复位。