[N32G03x]

N32芯片执行flash操作事项

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sy12138|  楼主 | 2022-10-24 19:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 sy12138 于 2022-10-24 19:42 编辑

#每日话题#
今天我们来简单总结一下N32芯片flash擦除和写操作时的注意事项

  • 进行闪存编程操作时(写或擦除),必须打开内部的 RC 振荡器(HSI);
  • Flash写操作仅支持 32 位操作,写操作之前需要先擦写Flash;
  • Flash写操作需要地址字对齐,且地址范围不能超出芯片内存
  • 以防因电气干扰等原因产生对 Flash 的意外操作,对Flash的操作应按照解锁→操作→上锁顺序执行
    大家还有一些其他好的建议吗?可以一起来分享分享





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