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1.Q：并联使用MOS存在一些问题，那我们要怎样做才能避免这些问题？ A：首先，器件的一致性一定要好。在功率MOSFET多管并联时，器件内部参数的微小差异就会引起并联各支路电流的不平衡而导致单管过流损坏。其次是功率。如果功率高于25%，MOS发热严重，性能会急剧下降，因此在设计时需要对MOS进行降额使用。
2.Q: 目前的MOSFET提供哪些封装？ A：封装有TO-220、TO-220F、TO-252、TO-247等。
3.Q: 我们的MOSFET采用什么工艺？ A：采用的是超级结工艺。超级结技术是专为配备600V以上击穿电压的高压功率半导体器件开发的，用于改善导通电阻与击穿电压之间的矛盾。采用超级结技术有助于降低导通电阻，并提高MOS管开关速度，基于该技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。
4.Q: 我们的MOSFET的应用领域有哪些？ A：我们的MOSFET采用超级结技术，主要有以下几种应用：1）电脑、服务器的电源--更低的功率损耗；2）适配器（笔记本电脑、打印机等）--更轻、更便捷。3）照明（HID灯、工业照明、道路照明等）--更高的功率转换效率；4）消费类电子产品（液晶电视、等离子电视等）--更轻、更薄、更高能效。
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