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MOS管的导通电阻与漏源耐压是正比还是反比关系?

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楼主
小和尚520|  楼主 | 2022-10-30 10:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
Siderlee| | 2022-12-22 09:55 | 只看该作者
从基本的理解上看,
Vds和Rdson都正比于芯片的厚度

这也是高压芯片导通电阻一般都很难做小的原因

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板凳
tianxj01| | 2022-12-22 11:02 | 只看该作者
同种工艺,同样芯片面积,导阻和耐压成反比关系,而且基本线性。

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