请问低速晶振的驱动能力默认是高还是低

发表于 2022-11-3 08:52

请问低速晶振的驱动能力默认是高还是低，如何优化这个驱动能力呢？

发表于 2022-11-3 08:52

有没有经验的大神？

发表于 2022-11-3 09:37

你这晶振是要用在什么地方？还没听说过晶振驱动能力这回事。

发表于 2022-11-3 13:42

自己查手册啊，看BDCR这个寄存器的复位值对应的的驱动设置

发表于 2022-11-3 15:17

默认是最低级，要自己修改。 __HAL_RCC_LSEDRIVE_CONFIG(RCC_LSEDRIVE_MEDIUMHIGH);

发表于 2022-11-3 19:23

你这晶振是要用在什么地方啊？

发表于 2022-11-4 08:53

默认是最低那一级，有四级，最低那级我测试用负载电容12.5pF的晶振，有小部分起振不稳定的情况，一般改成中或高测试就很稳定了，不需要设成最高。
其实改这个驱动，手册上说有一点区别，测试发现对休眠电流的影响没什么区别，反正用万用表的200uA档测不出变化。

发表于 2022-11-4 18:36

默认是最低级，要手动修改

发表于 2022-11-5 18:20

晶振还有驱动能力吗？

发表于 2022-11-6 18:51

晶振是要用在什么地方啊

发表于 2022-11-12 19:14

默认应该是最低级的

发表于 2022-11-13 18:59

差一下看看吧

发表于 2023-2-21 12:55

连续工作的晶振比断续工作的晶振的老化率要好

[STM32L4] 请问低速晶振的驱动能力默认是高还是低