[STM32F1] 可不可以实现地址的自动偏移?

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 楼主| happy_10 发表于 2022-12-4 15:05 | 显示全部楼层 |阅读模式
一个数组uchar buf[100],想把里面100个字节依次写入EEPROM,应该怎么实现?如果一次写一个字节,每次都要将地址写入吗,可不可以实现地址的自动偏移?
stly 发表于 2022-12-4 15:07 | 显示全部楼层
这个要看EEPROM的手册,有的EEPROM支持连续写的功能。
supernan 发表于 2022-12-4 15:10 | 显示全部楼层
这个需要进行地址的偏移处理的吧
heweibig 发表于 2022-12-4 15:12 | 显示全部楼层
这和你用的EEPROM芯片有关噢
yszong 发表于 2022-12-4 15:14 | 显示全部楼层
EEPROM一般支持页写的,写一次地址就可以写一页,速度更快。
yinxiangh 发表于 2022-12-4 15:16 | 显示全部楼层
这个只能是地址自++才行吧。
juventus9554 发表于 2022-12-4 15:57 | 显示全部楼层
EEPROM有偏移的方式啊。
supernan 发表于 2022-12-4 15:59 | 显示全部楼层
不能连续写入的。
jiajs 发表于 2022-12-4 16:01 | 显示全部楼层
可以定义一个批量写入的函数。
jlyuan 发表于 2022-12-4 16:03 | 显示全部楼层
EEPROM分页写数据
chuxh 发表于 2022-12-4 16:05 | 显示全部楼层
写入的起始地址为EEPROM的有效地址,且待写入的数据总长度不超过从所述的起始地址到EEPROM的最高地址
heweibig 发表于 2022-12-4 16:07 | 显示全部楼层
EEPROM能够多个数据读写
renyaq 发表于 2022-12-4 16:10 | 显示全部楼层
Flash芯片可以连续写入数据。
stly 发表于 2022-12-4 16:11 | 显示全部楼层
针对EEPROM不能批量写入数据。
renyaq 发表于 2022-12-4 16:13 | 显示全部楼层
论从那个地址连续写,不能超过(跨过)一整页
gongche 发表于 2022-12-4 16:15 | 显示全部楼层

能够按页写数据。
SantaBunny 发表于 2022-12-6 10:51 | 显示全部楼层
不能连续写入的
MessageRing 发表于 2022-12-6 10:55 | 显示全部楼层
有的EEPROM支持连续写功能
Pulitzer 发表于 2024-10-16 07:06 | 显示全部楼层

STM32芯片中有多个工作时钟源的外设很常见
童雨竹 发表于 2024-10-16 09:02 | 显示全部楼层

CPU借助于APB总线访问相关寄存器达到对I2C1工作模块的控制
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