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[STM32F1]

可不可以实现地址的自动偏移？

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楼主
happy_10|  楼主 | 2022-12-4 15:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
ROM, ar, EPROM, EEPROM
一个数组uchar buf[100]，想把里面100个字节依次写入EEPROM，应该怎么实现？如果一次写一个字节，每次都要将地址写入吗，可不可以实现地址的自动偏移？

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沙发
stly| | 2022-12-4 15:07 | 只看该作者
这个要看EEPROM的手册，有的EEPROM支持连续写的功能。

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板凳
supernan| | 2022-12-4 15:10 | 只看该作者
这个需要进行地址的偏移处理的吧

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地板
heweibig| | 2022-12-4 15:12 | 只看该作者
这和你用的EEPROM芯片有关噢

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5楼
yszong| | 2022-12-4 15:14 | 只看该作者
EEPROM一般支持页写的，写一次地址就可以写一页，速度更快。

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6楼
yinxiangh| | 2022-12-4 15:16 | 只看该作者
这个只能是地址自++才行吧。

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7楼
juventus9554| | 2022-12-4 15:57 | 只看该作者
EEPROM有偏移的方式啊。

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8楼
supernan| | 2022-12-4 15:59 | 只看该作者
不能连续写入的。

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9楼
jiajs| | 2022-12-4 16:01 | 只看该作者
可以定义一个批量写入的函数。

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10楼
jlyuan| | 2022-12-4 16:03 | 只看该作者
EEPROM分页写数据

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11楼
chuxh| | 2022-12-4 16:05 | 只看该作者
写入的起始地址为EEPROM的有效地址,且待写入的数据总长度不超过从所述的起始地址到EEPROM的最高地址

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12楼
heweibig| | 2022-12-4 16:07 | 只看该作者
EEPROM能够多个数据读写

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13楼
renyaq| | 2022-12-4 16:10 | 只看该作者
Flash芯片可以连续写入数据。

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14楼
stly| | 2022-12-4 16:11 | 只看该作者
针对EEPROM不能批量写入数据。

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15楼
renyaq| | 2022-12-4 16:13 | 只看该作者
论从那个地址连续写,不能超过(跨过)一整页

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16楼
gongche| | 2022-12-4 16:15 | 只看该作者

能够按页写数据。

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17楼
SantaBunny| | 2022-12-6 10:51 | 只看该作者
不能连续写入的

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18楼
MessageRing| | 2022-12-6 10:55 | 只看该作者
有的EEPROM支持连续写功能

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