本帖最后由 碳化硅MOS管 于 2023-3-2 09:10 编辑
1700V SiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on)
ASC5N1700MT3.pdf (1.77 MB)
ASC5N1700MT7.pdf (1.21 MB)
ASC100N1700MT4-PDF.pdf (1.29 MB) 广泛适用于工业电机驱动,光伏,直流充电桩,储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计,可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计,降低散热成本,大幅度减少辅助开关电源成本。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。最终让总体成本得到优化。
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