功率mosfet导通压降保护电路

只看该作者 · 2012-4-18 16:28

file:///C:/Users/zm/AppData/Roaming/Tencent/Users/253366595/QQ/WinTemp/RichOle/CB37~%60%7D%60EA(VRE3%7B5)U3LTK.jpg 请问下图中R2和C1如何解决了VQ2先导通带来的误动作信号问题

只看该作者 · 2012-4-19 20:41

1万 · 2012-4-20 08:39

R2*C1 的延时电路来控制

只看该作者 · 2012-4-20 16:52

VQ1是功率mosfet管 VQ2是小功率检测功率管所以VQ2会先导通这样U1就会有电流产生而导通从而产生误动作信号请问您一下那个R2和C1具体怎么解决这个问题的以及它们值的选取有什么要求吗？谢谢啦

1万 · 2012-4-21 08:35

充电延时

1万 · 2012-4-21 09:21

本帖最后由 airwill 于 2012-4-21 09:23 编辑

假设 VQ2会先导通, C1 放电, 还未到 PFI 触发翻转点, VQ1 已经导通而停止 C1 的放电.

不过这里说得容易, 由于光藕这个器件延迟特性跟很多因素有关, 结果只能是(通过调试)凑出来的. 这个电路的稳定性还是出在这个光藕上.

只看该作者 · 2012-4-23 16:36

为什么VQ1导通会停止C1的放电？ U1导通后，由于C1的存在，U2的 PFI 管脚电压有一个放电时间，设计电路时需考虑此时间。通过 R2和 C1解决 VQ2先导通带来的误动作信号问题。当 VQ2，VQ1都导通后，此时U1的导通程度完全取决于 VQ1的导通压降。随着输出电流的增加，VQ1导通压降也随之增加，当增到一定值时，U1开始逐渐导通，C1的电位通过 R2泄放。一但 C1的电压低于 U2的检测动作电压 1.25V时U2将输出保护控制信号，实现对 VQ1的保护。
这段话不太理解您可以帮我分析哈吗？谢啦

1万 · 2012-4-26 13:56

这段是讲保护的过程. 说得已经很详细很明确了. 不太理解, 那只能多看几遍, 对着电路分析了.

只看该作者 · 2012-4-26 15:04

电路知识缺乏...我是这样理解的 VQ2先导通，U1接通，产生光电信号，使光敏三级管导通，然后C1给R2放电，使得C1端的电压在降到1.25V的这段放电时间大于两个MOS管VQ1和VQ2导通的时间差？
还有就是 VQ1导通了，C1就会停止对R2的放电？这个不太明白您可以提示下吗？

只看该作者 · 2012-4-26 15:52

VQ1完全导通，光耦U1不通，C1对R2的回路断开，自然就不会对R2放电

只看该作者 · 2012-4-28 08:47

当 VQ2，VQ1都导通后，此时U1的导通程度完全取决于 VQ1的导通压降。随着输出电流的增加，VQ1导通压降也随之增加，当增到一定值时，U1开始逐渐导通，C1的电位通过 R2泄放。
那就是说VQ1导通压降增到一定值使U1导通说明MOSFET管出现短路然后启动保护电路？

1万 · 2012-4-28 08:53

楼主进步很快, 分析很正确

只看该作者 · 2012-5-2 16:53

只看该作者 · 2012-5-3 15:28

这个电路实现起来容易么？

只看该作者 · 2012-5-17 10:39

请问下C2的作用是？

功率mosfet导通压降保护电路

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