1、同步电路和异步电路的区别是什么?(仕兰微电子)
2、什么是同步逻辑和异步逻辑?(汉王笔试)
同步逻辑是时钟之间有固定的因果关系.异步逻辑是各时钟之间没有固定的因果关系.
3、什么是"线与"逻辑,要实现它,在硬件特性上有什么具体要求?(汉王笔试)
线与逻辑是两个输出信号相连可以实现与的功能.在硬件上,要用oc门来实现,由于不用 oc门可能使灌电流过大,而烧坏逻辑门. 同时在输出端口应加一个上拉电阻.
4、什么是Setup 和Holdup时间?(汉王笔试)
5、setup和holdup时间,区别.(南山之桥)
6、解释setup time和hold time的定义和在时钟信号延迟时的变化.(未知)
7、解释setup和hold time violation,画图说明,并说明解决办法.(威盛VIA
2003.11.06 上海笔试试题)
Setup/hold time 是测试芯片对输入信号和时钟信号之间的时间要求.建立时间是指触发 器的时钟信号上升沿到来以前,数据稳定不变的时间.输入信号应提前时钟上升沿(如上升沿有效)T时间到达芯片,这个T就是建立时间-Setup time.如不满足setup time,这个数据就不能被这一时钟打入触发器,只有在下一个时钟上升沿,数据才能被打入触发器. 保持时间是指触发器的时钟信号上升沿到来以后,数据稳定不变的时间.如果hold time 不够,数据同样不能被打入触发器.
建立时间(Setup Time)和保持时间(Hold time).建立时间是指在时钟边沿前,数据信 号需要保持不变的时间.保持时间是指时钟跳变边沿后数据信号需要保持不变的时间.如果不满足建立和保持时间的话,那么DFF将不能正确地采样到数据,将会出现 metastability的情况.如果数据信号在时钟沿触发前后持续的时间均超过建立和保持时 间,那么超过量就分别被称为建立时间裕量和保持时间裕量.
8、说说对数字逻辑中的竞争和冒险的理解,并举例说明竞争和冒险怎样消除.(仕兰微 电子)
9、什么是竞争与冒险现象?怎样判断?如何消除?(汉王笔试)
在组合逻辑中,由于门的输入信号通路中经过了不同的延时,导致到达该门的时间不一致叫竞争.产生毛刺叫冒险.如果布尔式中有相反的信号则可能产生竞争和冒险现象.解决方法:一是添加布尔式的消去项,二是在芯片外部加电容.
10、你知道那些常用逻辑电平?TTL与COMS电平可以直接互连吗?(汉王笔试)
常用逻辑电平:12V,5V,3.3V;TTL和CMOS不可以直接互连,由于TTL是在0.3-3.6V之间,而CMOS则是有在12V的有在5V的.CMOS输出接到TTL是可以直接互连.TTL接到CMOS需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V.
11、如何解决亚稳态.(飞利浦-大唐笔试)
亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态.当一个触发器进入亚
稳态时,既无法预测该单元的输出电平,也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的电平
上.在这个稳定期间,触发器输出一些中间级电平,或者可能处于振荡状态,并且这种无
用的输出电平可以沿信号通道上的各个触发器级联式传播下去.
12、IC设计中同步复位与 异步复位的区别.(南山之桥)
13、MOORE 与 MEELEY状态机的特征.(南山之桥)
14、多时域设计中,如何处理信号跨时域.(南山之桥)
15、给了reg的setup,hold时间,求中间组合逻辑的delay范围.(飞利浦-大唐笔试)
Delay < period - setup – hold
16、时钟周期为T,触发器D1的建立时间最大为T1max,最小为T1min.组合逻辑电路最大延
迟为T2max,最小为T2min.问,触发器D2的建立时间T3和保持时间应满足什么条件.(华
为)
17、给出某个一般时序电路的图,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,还有 clock的delay,写出决
定最大时钟的因素,同时给出表达式.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
18、说说静态、动态时序模拟的优缺点.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
19、一个四级的Mux,其中第二级信号为关键信号 如何改善timing.(威盛VIA
2003.11.06 上海笔试试题)
20、给出一个门级的图,又给了各个门的传输延时,问关键路径是什么,还问给出输入,
使得输出依赖于关键路径.(未知)
21、逻辑方面数字电路的卡诺图化简,时序(同步异步差异),触发器有几种(区别,优
点),全加器等等.(未知)
22、卡诺图写出逻辑表达使.(威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题)
23、化简F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和.(威盛)
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威
盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09) |