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结型场效应晶体管是一种单极器件，其两个电极之间的电流由反向偏置 PN 结处的电场作用控制。对于双极结型晶体管而言，晶体管的输出集电极电流与流入晶体管基极的输入电流成正比。这使得双极晶体管成为“电流”工作型器件，也就是流控型器件，因为我们可以通过较小的控制电流来进行较大的负载电流切换。而场效应晶体管，或简称 FET，通过施加到其输入端子，也就是栅极的电压来控制流过它们的电流，从而使输出电流与输入电压成正比。 由于它们的工作依赖于输入栅极电压产生的电场，这也是为啥称为场效应的原因，因此这使场效应晶体管成为“电压”工作型器件，所以和双极晶体管相对，FET就是压控型器件。 场效应晶体管是一种三端单极半导体器件，其特性与其对应的双极晶体管非常相似。 例如，较高的效率、可靠性比较高而且价格低廉，可用于大多数电子电路应用，从而可以取代其等效的双极结型晶体管 (BJT) 的同类产品。场效应晶体管可以做得比等效的 BJT 晶体管小得多，而且它们比较低的功耗使它们非常适合用于集成电路，例如 CMOS 系列的数字逻辑芯片等。 众所周知双极晶体管结构有两种基本类型，NPN 和 PNP，分类的基本依据是描述了制造这两种双极晶体管的 P 型和 N 型半导体材料的物理排列。 FET 也是如此，因为场效应晶体管也有两种基本分类，称为 N 沟道 FET 和 P 沟道 FET。场效应晶体管是一种三端器件，需要注意的是在其漏极和源极之间的主要载流路径中没有PN 结。 这些端子在功能上分别对应于双极晶体管的集电极和发射极，这两个端子之间的电流路径称为“通道”，它可以由 P 型或 N 型半导体材料制成。通过改变施加到栅极的电压来控制流经该通道的电流。顾名思义，双极晶体管是“双极”器件，因为它们使用两种类型的电荷载流子，也就是空穴和电子。另一方面，场效应晶体管是一种“单极”器件，仅依赖于电子（对应于N 沟道）或空穴（对应P 沟道）的传导。 场效应晶体管与其标准双极晶体管同类产品相比有一个主要优势，即它们的输入阻抗 (Rin)非常高，一般可达到数千欧姆，而 BJT 相对较低。 这种非常高的输入阻抗使它们对输入电压信号非常敏感，同时这也带来了不利之处，这种高灵敏度的代价也意味着它们很容易被静电损坏。目前有两种主要类型的场效应晶体管，结型场效应晶体管，也就是JFET 和绝缘栅场效应晶体管，通常称为标准金属氧化物半导体场效应晶体管或简称MOSFET。 总结一下就是结型场效应晶体管 (JFET) 是最简单的一种场效应晶体管，它们是三端半导体，是通过电压控制的，电荷流过源极和漏极端子之间的半导体通道。通过向栅极端子施加反向偏置电压，通道被“夹紧”，电流被完全切断。 当 JFET的栅极和源极端子之间没有电位差时，它通常会导通。
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