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FSMC存储区域说明（挂载在AHB3总线）
BANK1的基地址是0x60000000，不同的子bank地址不同，通过HADDR[27:26]这两位的值确定。
Bank1的256M字节空间由 28 根地址线（HADDR[27:0]）寻址（注意：这里的HADDR是内部AHB的地址线，它的地址是按字节进行“编号”的）。 这里HADDR[25:0]来自外部存储器地址FSMC_A[25:0]，而HADDR[27:26]对4个区进行寻址 注意：DATA长度为16位情况下，由地址线FSMC_A[24:0]决定)
Exp: 若我们选择了第四个，这两位是11，所以子bank的基地址是:0x60000000+(0x3<<23)=0x6C000000。注：FSMC_A[23]作为 RS 控制信号
若要写指令，RS =0（根据实际外接设备的时序标准）
当 数据宽度 设置为 16bit 时，向地址（FSMC_BANK1_BASE+（0x0«23））写入命令CMD，则 FSMC_A[23]作为 RS 控制信号； 当 数据宽度 设置为 8bit 时，向地址（FSMC_BANK1_BASE+（0x0«23）） 写入命令CMD，则 FSMC_A[22]作为 RS 控制信号。
若要写数据，RS =1（根据实际外接设备的时序标准)
当 数据宽度 设置为 16bit 时，向地址（FSMC_BANK1_BASE+（0x1«23））写入数据DATA，则 FSMC_A[23]作为 RS 控制信号 当 数据宽度 设置为 8bit 时，向地址（FSMC_BANK1_BASE+（0x1«23））写入数据DATA， 则 FSMC_A[22]作为 RS 控制信号。
#define FSM_BANK_PSRAM_ADDR ((unsigned int)0x60000000) //BANK1的首地址
.硬件接口初始化 /*硬件接口*/ void mm32_fsmc_gpio_init(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBENR_GPIOD, ENABLE); RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBENR_GPIOE, ENABLE); RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SYSCFG, ENABLE); //AF12--FSMC复用 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource4, GPIO_AF_12);//PD4-FSMC_NOE [nRD] GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource5, GPIO_AF_12);//PD5-FSMC_NWE [nWR] GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource7, GPIO_AF_12);//PD7-FSMC_NE1 [nCS] 即挂载在BANK1上 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource13, GPIO_AF_12);//PD13-FSMC_A18[R/S] -->RS接到了A18线 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource14, GPIO_AF_12);//PD14-FSMC_D00 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource15, GPIO_AF_12);//PD15-FSMC_D01 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource0, GPIO_AF_12);//PD0-FSMC_D02 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource1, GPIO_AF_12);//PD1-FSMC_D03 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource7, GPIO_AF_12);//PE7-FSMC_D04 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource8, GPIO_AF_12);//PE8-FSMC_D05 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource9, GPIO_AF_12);//PE9-FSMC_D06 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource10, GPIO_AF_12);//PE10-FSMC_D07 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource11, GPIO_AF_12);//PE11-FSMC_D08 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource12, GPIO_AF_12);//PE12-FSMC_D09 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource13, GPIO_AF_12);//PE13-FSMC_D10 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource14, GPIO_AF_12);//PE14-FSMC_D11 GPIO_PinAFConfig(GPIOE, GPIO_PinSource15, GPIO_AF_12);//PE15-FSMC_D12 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource8, GPIO_AF_12);//PD8-FSMC_D13 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource9, GPIO_AF_12);//PD9-FSMC_D14 GPIO_PinAFConfig(GPIOD, GPIO_PinSource10, GPIO_AF_12);//PD10-FSMC_D15 //FSMC GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0|GPIO_Pin_1|GPIO_Pin_4\ |GPIO_Pin_5|GPIO_Pin_7|GPIO_Pin_8\ |GPIO_Pin_9|GPIO_Pin_10|GPIO_Pin_13\ |GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure); GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_7|GPIO_Pin_8|GPIO_Pin_9\ |GPIO_Pin_10|GPIO_Pin_11|GPIO_Pin_12\ |GPIO_Pin_13|GPIO_Pin_14|GPIO_Pin_15; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure); } /* **FSMC外设初始化 */ void mm32_fsmc_init(void) { FSMC_InitTypeDef FSMC_InitStructure; FSMC_NORSRAM_Bank_InitTypeDef FSMC_BankInitStructure; RCC_AHB3PeriphClockCmd(RCC_AHB3ENR_FSMC, ENABLE); // FSMC_NORSRAM_BankStructInit(&FSMC_BankInitStructure); // FSMC_NORSRAMStructInit(&FSMC_InitStructure); //5.95ns@168MHz //10.4ns@96MHz /* **SM_READ_PIPE：读数据延迟周期数， **即从 SRAM 读数据输出端到FSMC 内部读数据端之间的寄存器数，默认为 0。 */ FSMC_BankInitStructure.FSMC_SMReadPipe = 0;//数据延迟 /*READY_MODE：选择是否采用外部设备 FSMC_NWAIT 信号。 **0：不采用外部 FSMC_NWAIT 信号，而采用内部相关信号； **1：采用外部设备 FSMC_NWAIT 信号。 */ FSMC_BankInitStructure.FSMC_ReadyMode = 0;//0: Internal FSMC 1: External DEVICE (ie from FSMC_NWAIT) /* **t_wp:写操作周期，取值范围 0~63，对应写脉冲宽度 1~64 个时钟周期 */ FSMC_BankInitStructure.FSMC_WritePeriod = 0x8;//写周期(OMA=66ns) /* **t_rc 读操作周期，取值范围 2~63，对应读操作周期 1~62 个时钟周期 */ FSMC_BankInitStructure.FSMC_ReadPeriod = 0x8;//读周期(OMA=160ns) /* **t_wr:写操作时地址的保持时间，取值范围 0~3，对应写操作时地址的保持时间0~3 个时钟周期 */ FSMC_BankInitStructure.FSMC_WriteHoldTime = 0x02;//写保持时间设置(OMA=10ns) /* **t_as:写操作时地址的建立时间，取值范围 0~3，对应写操作时地址的建立时间0~3 个时钟周期 */ FSMC_BankInitStructure.FSMC_AddrSetTime = 0x02;//地址建立时间设置(OMA=0ns) /* **存储器数据总线位宽设置（与寄存器 SMTMGR_SETx 设置的时序相匹配） */ FSMC_BankInitStructure.FSMC_DataWidth = FSMC_DataWidth_16bits; FSMC_NORSRAM_Bank_Init(&FSMC_BankInitStructure, FSMC_NORSRAM_BANK0); /* **SYSCFG 配置寄存器（SYSCFG_CFGR） **[30：29] **FSMC 模式选择 **01：兼容 8080 协议接口 **00：兼容 NOR FLASH 接口 **1x：保留 */ FSMC_InitStructure.FSMC_Mode = FSMC_Mode_8080; /* **REG_SELECT[2：0]：时序参数配置寄存器组选择 **000：选择 SMTMGR_SET0 寄存器来配置 BANK1 传输的时序参数 **001：选择 SMTMGR_SET1 寄存器来配置 BANK1 传输的时序参数 **010：选择 SMTMGR_SET2 寄存器来配置 BANK1 传输的时序参数 **其它：保留 */ FSMC_InitStructure.FSMC_TimingRegSelect = FSMC_TimingRegSelect_0; /* **MEM_SIZE[4：0]：外接设备容量 **00000：未连接任何设备 **00001： 64KB **00010 ：128KB **00011：256KB **00100：512KB **00101：1MB **00110：2MB **00111：4MB **01000：8MB **01001：16MB **01010：32MB **01011：64MB **其它：保留 */ FSMC_InitStructure.FSMC_MemSize = FSMC_MemSize_64MB; /* **MEM_TYPE[2：0]：外接设备类型 **001：SRAM **010：NOR FLASH **其他：保留 */ FSMC_InitStructure.FSMC_MemType = FSMC_MemType_NorSRAM; /* **FC_ODATAEN **FSMC 地址数据复用引脚只能作为数据使用 **1：仅作为数据引脚使用 **0：允许作为数据地址使用 */ FSMC_InitStructure.FSMC_AddrDataMode = FSMC_AddrDataMUX; FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_InitStructure);
}
.LCD读写操作
/*
**当RS=0时，表示读写REG
**当RS=1时，表示读写RAM
*/
/*
**写指令
*/
/*加__inline为了优化代码,可以不需要 */
__inline void lcd_write_index(void *arg,unsigned short int index)
{
(*(volatile unsigned short int *)FSM_BANK_PSRAM_ADDR)=index;
}
/*
**写数据
*/
__inline void lcd_write_data(void *arg,unsigned short int data)
{
//(0x1<<(An+1) @16bit_width -> 1<<(18+1)=0x80000
(*(volatile unsigned short int *)(FSM_BANK_PSRAM_ADDR|0x80000))=data;
}
/*
**写寄存器
*/
void lcd_write_register(void *arg,unsigned short int index,unsigned short int data)
{
lcd_write_index(0,index);
lcd_write_data(0,data);
}
———————————————— 版权声明：本文为CSDN博主「KAMI STUDIO」的原创文章，遵循CC 4.0 BY-SA版权协议，转载请附上原文出处链接及本声明。 原文链接：https://blog.csdn.net/weixin_43940932/article/details/123022934
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