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简单实用的FLASH模拟EEPROM程序在HC32L136上的实现

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楼主: zhanan
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21楼
jackcat| | 2023-3-5 12:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
感觉内部的flash读写怕超出范围的。

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22楼
wangdezhi| | 2023-3-5 12:32 | 只看该作者
可否把内部Flash部分扇区当作EEPROM使用??

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23楼
maqianqu| | 2023-3-5 12:38 | 只看该作者
FLASH在写新的数据前必须先擦除，而且经常是只允许整页擦除，没有办法擦除一个字节

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24楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-6 12:43 | 只看该作者
uytyu 发表于 2023-3-4 12:40
这个是否还需要重新编写flash读写程序？

不用了，已经是底层操作了，库函数都不用。

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25楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-6 12:47 | 只看该作者
minzisc 发表于 2023-3-4 21:36
可否把内部Flash部分扇区当作EEPROM使用??

这个帖子就实现了啊，完美解决

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26楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-6 12:52 | 只看该作者
1988020566 发表于 2023-3-4 20:27
eeprom与flash 选哪个

现在很多芯片不带EEPROM了，必须FLASH。好在FLASH容量足够大，富余很多，富于出来的模拟EEPROM

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27楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-6 13:02 | 只看该作者
kkzz 发表于 2023-3-4 19:35
可以一字节一字节的写入吗？

不行，必须一个字(4字节)为单位。
原因：1是方便FLASH地址对齐，2.是变量id识别。
模拟eeprom变量在存储到FLASH时是带着id存储的。字的高16位用作id，低16位用作变量值。或者高8位用作id，低24位用作变量值。
带着id存储实现了追加式写入，同id的变量存储了多次，最后的是新的。这样就避免了频繁的擦除。

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28楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-6 13:09 | 只看该作者
ccook11 发表于 2023-3-4 13:20
HC32L136可以外接多大的flash呢？

不是外接FLASH，是把装程序的FLASH，富余部分改作模拟eeprom用。eeprom在参数设置上必须用到的，以前的8位机，eeprom是其特色之一。现在很多单片机开放了FLASH读写，干脆取消了eeprom。

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29楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-6 13:15 | 只看该作者
jimmhu 发表于 2023-3-4 13:00
这个为什么不直接外接eeprom呢？

外接eeprom，费硬件啊，增加一个元件，占用端口，PCB排版增加难度，软件不是spi就是iic，都不省心啊。

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30楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-6 13:29 | 只看该作者
mollylawrence 发表于 2023-3-4 22:14
直接读写相关的数据不好吗？

写在FLASH里面的数据，读，直接读。写，直接写只能写一次，你数据修改了写到哪里去？去哪里找到这个修改后的数据？所以必须有一个接口。
程序看着有点复杂，是因为大部分的程序用在了非正常状态的处理上，没有这部分处理，数据正确与否是无法保证的。如擦写中突然断电。

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31楼
tpgf| | 2023-3-6 16:09 | 只看该作者
flash属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom

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32楼
木木guainv| | 2023-3-6 16:56 | 只看该作者
EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。是相对于紫外擦除的rom来讲的。但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了一类存储器的统称

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33楼
磨砂| | 2023-3-6 17:06 | 只看该作者
目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的

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34楼
晓伍| | 2023-3-6 17:19 | 只看该作者
狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次

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35楼
八层楼| | 2023-3-7 08:07 | 只看该作者
我不是很理解 为什么自带的flash一般都那么小呢 这是受到了什么限制呀

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36楼
观海| | 2023-3-7 08:52 | 只看该作者
八层楼 发表于 2023-3-7 08:07
我不是很理解 为什么自带的flash一般都那么小呢 这是受到了什么限制呀

还好吧 哪里小了 至少比ram要大很多了好不好

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37楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-7 14:42 | 只看该作者
磨砂 发表于 2023-3-6 17:06
目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的

FLASH和EEPROM的边界已经模糊了，其实二者的区别在于擦的单位上，eeprom按字节擦，且边擦边写，FLASH按页或块擦，擦除最耗费时间。FLASH容量大，如W25Q128有16MB，做成eeprom那样边擦边写，不仅结构复杂，更主要的是速度上不去。所以大容量的全都是FLASH，通过管理软件在使用上和eeprom没有区别。

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38楼
zhanan|  楼主 | 2023-3-7 14:49 | 只看该作者
晓伍 发表于 2023-3-6 17:19
狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。这是最传统的 ...

边擦边写，擦的时间是毫秒级的，游击队的干活

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39楼
louliana| | 2023-3-7 22:00 | 只看该作者
简易的flash模拟eeprom功能,只需实现底层的flash操作接口

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40楼
mattlincoln| | 2023-3-7 22:06 | 只看该作者
flash模拟eeprom稳定吗

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