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中颖8位MCU EEPROM使用注意事项

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楼主
本帖最后由 小夏天的大西瓜 于 2023-2-16 22:04 编辑

EEPROM(Electrically Erasable Programmable readonly memory)是指带电可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。
中颖Flash型MCU都集成有EEPROM,EEPROM用来存放用户数据。EEROM大小可以通过option(代码选项)选择0~4K不等。EEPROM按照扇区进行划分,每个扇区的大小512字节(较早的产品,每个扇区大小256字节),最多支持8个扇区。
中颖的EEPROM编程/擦除次数:至少100000次
中颖的EEPROM数据保存年限:至少10年
中颖EEPROM的操作原则:
1 必须关闭所有中断
如果在操作EEPROM期间,不关闭中断,可能会导致程序跑飞或者其它异常情况;中颖MCU要求对于EEPROM的擦除和编程,需要按照规定关闭所有中断(EA=0),等到编程完成后再打开中断。

2 如何访问EEPROM

中颖芯片对于EEPROM的读、擦和写都是通过寄存器FLASHCON的FAC位置1来操作。当FAC=0时,MOVC指令或者SSP功能访问Main Block区域;当FAC=1时,MOVC指令或者SSP功能访问类EEPROM区域或信息存储区。




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沙发
小夏天的大西瓜|  楼主 | 2023-2-16 22:02 | 只看该作者
本帖最后由 小夏天的大西瓜 于 2023-2-16 22:05 编辑

3 操作EEPROM前,清WDT
在对EEPROM的操作前,清WDT,保证操作期间不溢出

4  抗干扰
同时,为了抗干扰,防止误操作,EEPROM编程可以参考如下例程:
uchar ssp_flag;

voidEEPromSectorErase(UCHAR nAddrH)// 扇区擦除
{                                                                                                   

  ssp_flag= 0xA5;

  _push_(IEN0);//中断控制压栈

  IEN0&=0x7F;//关总中断   

  FLASHCON = 0x01;  //访问EEPROM区

  RSTSTAT = 0;    //清WDT                                                      

  XPAGE= nAddrH<<1 ;                                                  

  IB_CON1   = 0xE6;  

  IB_CON2   = 0x05;

  IB_CON3   = 0x0A;

  IB_CON4   = 0x09;     

  if(ssp_flag!=0xA5)//增加flag判断,增强抗干扰

   goto Error;

  IB_CON5   = 0x06;

  _nop_();                              

  _nop_();

  _nop_();  

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;
            
  FLASHCON= 0x00;//切回FLASH区

_pop_(IEN0);//恢复总中断

}

voidEEPromByteProgram(UCHAR nAddrH,UCHAR nAddrL, UCHAR nData)  // 扇区编程

{

  ssp_flag= 0x5A;

  _push_(IEN0); //中断控制压栈

  IEN0&=0x7F;//关总中断

  FLASHCON= 0x01; //访问EEPROM区

  RSTSTAT = 0;    //清WDT

  XPAGE= nAddrH;                                                  

  IB_OFFSET= nAddrL;

  IB_DATA= nData;  // 烧写内容

  IB_CON1   = 0x6E;

  IB_CON2   = 0x05;

  IB_CON3   = 0x0A;

  IB_CON4   = 0x09;

  if(ssp_flag!=0x5A) //增加flag判断,增强抗干扰

  goto Error;
                       
  IB_CON5   = 0x06;
            
  _nop_();

  _nop_();

  _nop_();

  _nop_();

Error:

ssp_flag= 0;

IB_CON1= 0x00;

IB_CON2= 0x00;

IB_CON3= 0x00;

IB_CON4= 0x00;

IB_CON5= 0x00;

FLASHCON= 0x00; //切回FLASH区

_pop_(IEN0); //恢复总中断




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板凳
tpgf| | 2023-3-3 11:36 | 只看该作者
在任何型号的单片机上操作eeprom都需要关闭中断

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地板
qcliu| | 2023-3-3 11:47 | 只看该作者
我们在写数据的时候必须保证写保护的正确使用

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5
drer| | 2023-3-3 12:04 | 只看该作者
还得注意读写数据的读出写入地址逻辑关系

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6
coshi| | 2023-3-3 12:15 | 只看该作者
读数据最后一个字节必须回应“非应答位”

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7
kxsi| | 2023-3-3 13:08 | 只看该作者
要关注通信过程中的时序关系以及通信速率

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wiba| | 2023-3-3 13:22 | 只看该作者
访问EEPROM必须使用汇编指令吗?是不是c语言也可以啊

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OKAKAKO| | 2023-3-7 17:25 | 只看该作者
访问EEPROM应该用的汇编吧?有清楚的吗

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