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对于不少工程师朋友，电子设计过程都有选择合适的三极管的经历，三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区。如果仅仅是选作开关管用，应该都会重点关注三极管的CE击穿电压和集电极电流能力，除次之外，其他参数关注的比较少。就连三极管的放大倍数hfe也不是很重要。 比如这份BC546的NPN三极管，当集电极的工作电压是60V，规格书的VCEO是65V，那应该是满足要求的。肯定，这样选型是满足要求的。如果当集电极的工作电压是70V，这颗BC546是否还可以适用的，估计不少朋友就决定Vce＞VCEO，应该就不能用了。其实不是这样的，这中间是有一个误解。VCEO的意思是：CEO中的O是open的意思，表示在基级开路的时候，允许加载在CE两端的最大电压=65V。 但是实际电路应用中，必须下图的LED控制电路。基级是有控制信号，要么高电平要么通过R2接地，不存在基级开路的情形。 所以对于上图的原理图，根据VCEO电压选择三极管，得到的结果是不准确的。 对于三极管，有几种电压表示。上文规格书提到的是一种VCEO，在基级开路的情况下得到的。 如果基级通过一个电阻接GND的情况下测量，CE之间击穿那么参数就是VCER，这个时候VCER＞VCEO。 如果基级和集电极短路的时候，CE之间击穿参数就是VCES，此时VCES＞VCER＞VCEO。有些场合会把三极管当二极管使用，此时考虑CE的耐压等级就是VCES 最后就是基级反偏的时候，CE之间击穿参数VCEX，VCEX＞VCES＞VCER＞VCEO。这种电路的应用场景比较少，但是也是CE耐压等级最高的场合。 规格书另一个参数，是VCBO，表示发射极开路的场合，集电极和基级击穿电压的参数。由于BJT工作时，集电结常常处于反偏状态。反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo。所以这个VCBO是规格书最大的参数。 规格书中的VEBO一般也关注的比较少，主要是因为VEBO是控制信号，基本都是MCU控制，发生过压的规律很小。重点就是要记住加基级电阻，否则5V的MCU信号也有可能损坏三极管。 但是在规格书中VCEX，VCES，VCER是看不到的，我尝试问过三极管厂商的FAE，他们认为VCEO是最小值，电路设计只要选择的电压低于VCEO，那三极管的应用肯定是安全的，所以其他参数也就没有必要提供。如果客户一定需要更加详细的参数，他们可以向公司的AE申请资料。所以在实际的电路设计中，选择器件的参数，是要根据电路的设计条件来决定，不能一概而论。虽然依据当前的资料可以设计安全可靠的产品，但是能更深层次的理解这些参数的背后意义，设计产品可以更加得心应手。
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