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N32 40nm啊 为啥主频那么低,这不搞出三五百兆主频对得起这工艺?

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楼主
N32 40nm啊 为啥主频那么低,这不搞出三五百兆主频对得起这工艺?学at32/gd32 flash里的程序通过片上出厂自带boot rom(别让用户做boot)加载到sram里跑

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沙发
wangguanfu|  楼主 | 2023-2-25 10:04 | 只看该作者
另外,特别是定时器必须足够高频率,若可以的话 单独一个PLL给TIM,40nm 整出10GHZ也不难吧

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板凳
jobszheng| | 2023-2-25 11:12 | 只看该作者
ARM那边倒是开源的架构,可能还有一些不能解决的吧!
或者是市场定位的考量吧

当然,我也期待更高主频的MCU

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地板
trucyw| | 2023-2-25 20:06 | 只看该作者
不同的应用,考虑的不一样

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coody| | 2023-2-25 21:15 | 只看该作者
三五百MHz?格局小了!格局小了!现在的CPU那么复杂都3、5GHz了,单片机这么简单,30、50GHz不难吧?

不了解集成电路制程的人,就是这个想法。
晶圆(硅片)和制程就决定了你最高的频率,不同的速度晶圆都不同,混合IC更复杂。否则,能做500MHz的,干嘛做50MHz?

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icecut| | 2023-2-26 10:15 | 只看该作者
40nm对一次技术的速度影响还没你想的那么大. 加频率最大的优势是流水线级数. arm默认的级数就限制了速度.
苹果的M1 也是arm, 直接挑战intel, 可是苹果买的仅仅是指令集授权.

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z_no1| | 2023-2-26 21:51 | 只看该作者
还是要应用来需求这么高的主频吧?真这么高主频,发热不会太乐观吧?一般的MCU运行摸上去凉凉的,弄一个要散热片甚至散热风扇的在工控行业你觉得合适吗?

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Dick Hou| | 2023-2-27 08:57 | 只看该作者
典型外行指导内行。

不是工艺先进就速度快,国民的应该是偏向低功耗,雅特力是偏向高性能,你去看看AT的工作电流,437在200多兆的时候,电流都200多mA了。

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timerc| | 2023-2-27 08:59 | 只看该作者
主频上去了,你会感觉亏得,这么点功能,要加散热,要各种复杂信号问题应对,主频上去了价格也会跟着上去得,40nm将功耗降下来,满足低功耗就很不错了,实现简单功能得东西,整这么花干嘛

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单片小菜| | 2023-2-27 11:34 | 只看该作者
现在中国还达不到那种工艺的要求。

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-1 12:30 | 只看该作者
Dick Hou 发表于 2023-2-27 08:57
典型外行指导内行。

不是工艺先进就速度快,国民的应该是偏向低功耗,雅特力是偏向高性能,你去看看AT的工 ...

呵,CPU同样的M4F核,人家90nm都能搞出100多M主频,N32  40nm居然才144M,很明显根本不是CPU本身限制速度上不去,不知道你这个内行能不能普及下这是为啥

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-1 12:35 | 只看该作者
40nm FinFET  fT max 至少都150GHZ+了,如果是针对RF优化的搞不好fT 300GHZ都有可能

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-1 12:38 | 只看该作者
本帖最后由 wangguanfu 于 2023-3-1 12:47 编辑

N32主频上不去,很明显就是flash限制嘛,唉 ,扯啥低功耗之类? at32f437 200多mA 那得看看人家有多少外设,某些外设本身就是电老虎(比如各种PHY,CPU反而是低功耗部分),AT32那大容量flash和大容量sram 不耗电么,有的应用并不需要太多flash和高级网络通信外设(高级网络通讯协议之类),纯粹希望跑些重复密集的算法,所以希望CPU主频高点而已,就这样

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qiao958092084| | 2023-3-2 10:18 | 只看该作者
wangguanfu 发表于 2023-2-25 10:04
另外,特别是定时器必须足够高频率,若可以的话 单独一个PLL给TIM,40nm 整出10GHZ也不难吧 ...

intel应该把阿三全炒了,把你招进去

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Dick Hou| | 2023-3-2 16:35 | 只看该作者
本帖最后由 Dick Hou 于 2023-3-2 17:08 编辑
wangguanfu 发表于 2023-3-1 12:30
呵,CPU同样的M4F核,人家90nm都能搞出100多M主频,N32  40nm居然才144M,很明显根本不是CPU本身限制速度 ...

哎,跟你普及一下吧

你只说对了一半,不是CPU的原因。同样的M4F,3级流水线,大家拿到的都是公版,在同样的工艺下,速度是一样的。

那为什么最终速度每家不一样、功耗不一样呢?根本原因就是工艺,例如大家广泛认识的,110nm比180nm快,55nm比65nm快,40nm比55nm快。
注意,以上是基于许多条件不变,但工艺不是你想的这么简单。

就以55nm来说,制作数字电路的基本单元(CELL),某个foundry就有3种库(LIB),稍为复杂一点,有5种lib,那为什么要这么多lib呢?就是在性能、功耗、面积之间平衡。
举个简单例子,最基本的一个反相器,偏向于性能的,它的延时可能是100ps,而偏向功耗的,可能是200ps,这差距直接就是2倍!!!如果以单时钟50级反相器等效逻辑来计算,100ps*50=5ns=200MHz。所以,A厂商选择了高性能,它的M4可以跑200M,B厂家选择了低功耗,速度就只有100M了。(这只是简单类比,严谨的来说,没有这么简单,还要考虑芯片面积的限制等因素。)

再回过来,你说的AT的功耗,是因为外设多,不尽然!它的典型功耗是不包括你说的那种PHY等高功耗电路的!你也可以算一下,它的总功耗/模块数量,和别家对比一下。

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-3 23:17 | 只看该作者
Dick Hou 发表于 2023-3-2 16:35
哎,跟你普及一下吧

你只说对了一半,不是CPU的原因。同样的M4F,3级流水线,大家拿到的都是公版,在同样 ...

真正大拿出现了,先摩拜一下。

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-3 23:27 | 只看该作者
本帖最后由 wangguanfu 于 2023-3-3 23:34 编辑

at32   n32 电流,后者外设稍微大点点

mmexport1677857451188.jpg (70.15 KB )

mmexport1677857451188.jpg

mmexport1677857520362.jpg (60.31 KB )

mmexport1677857520362.jpg

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-3 23:36 | 只看该作者
对比图片,关闭外设后,功耗基本很接近,AT32F421CB  VS  N32G452CB, 起码说明 cpu功耗基本差不多

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-3 23:48 | 只看该作者
AT32F435  运行模式关闭所有外设 CPU 主频 72MHZ 典型电流23mA,目测应该是片上FLASH太大,SRAM太大(不仅仅有通用SRAM,还有为了实现真正零等待专门用来跑程序的256KB 高速SRAM)的差异

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wangguanfu|  楼主 | 2023-3-3 23:50 | 只看该作者
本帖最后由 wangguanfu 于 2023-3-3 23:55 编辑

以上对比
  55nm的AT32F  flash里跑程序 cpu主频跑到120MHZ,有零等待SRAM的cpu跑到240~288MHZ,
40nm 的N32G  都是flash里跑程序 cpu焊死到最高144MHZ,就单纯功耗上相对来说并没有啥亮点
结论 唉 别拿N32G因为优选低功耗所以主频144M说事了唉,40nm vs 55nm 。。。

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