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场效应晶体管 (FET) 由称为衬底的 N 型材料棒制成，其中扩散了 P 型结（栅极）。对于漏极上的正电压，相对于源极，电子电流通过 CHANNEL 从源极流向漏极。 
如果栅极相对于源极为负，则会产生静电场，挤压沟道并降低电流。如果栅极电压足够高，通道将被“夹断”，电流将为零。
与电流控制的晶体管不同，FET 是电压控制的。
该器件有时称为结型 FET 或 JUGFET 或 JFET。如果 FET 意外正向偏置，栅极电流将流过，FET 将被损坏。
为避免这种情况，在栅极和沟道之间放置了一层极薄的氧化硅绝缘层。该器件被称为绝缘栅 FET，或 IGFET 或金属氧化物半导体 FET (MOSTFET)。
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