3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高(国产SiC MOSFET)

发表于 2023-3-10 10:35

本帖最后由碳化硅MOS管于 2023-3-10 10:38 编辑

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。https://pan.baidu.com/s/1Wg-H2oss5mEZp7h9n53pNA提取码uii7更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。最终让总体成本得到优化。

发表于 2023-3-27 09:59

碳化硅技术的优势：效率得到提升，节省空间、重量减轻，零件数量减少，系统可靠性增强。

发表于 2023-5-24 16:06

碳化硅MOS耐压650V-1200V-1700V-3300V 国产https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr

[技术讨论] 3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高(国产SiC MOSFET)

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