本帖最后由 碳化硅MOS管 于 2023-3-10 10:38 编辑
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高。https://pan.baidu.com/s/1Wg-H2oss5mEZp7h9n53pNA提取码uii7更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。最终让总体成本得到优化。
|