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3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高(国产SiC MOSFET)

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碳化硅MOS管|  楼主 | 2023-3-10 10:35 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 碳化硅MOS管 于 2023-3-10 10:38 编辑

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高。https://pan.baidu.com/s/1Wg-H2oss5mEZp7h9n53pNA提取码uii7更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。最终让总体成本得到优化。

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沙发
碳化硅MOS管|  楼主 | 2023-3-27 09:59 | 只看该作者
碳化硅技术的优势:效率得到提升,节省空间、重量减轻,零件数量减少,系统可靠性增强。

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板凳
碳化硅MOS管|  楼主 | 2023-5-24 16:06 | 只看该作者
碳化硅MOS耐压650V-1200V-1700V-3300V 国产https://pan.baidu.com/s/1CDHqtHi3UZ0gTD4qqppY0A提取pvgr

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