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基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出 PMCB60XN 和 PMCB60XNE 30V N 沟道小信号 Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级 DSN1006 封装，具有市场领先的 RDS（on） 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。 新型 MOSFET 非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS（on） 与竞争器件相比性能提升了 25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关和电池管理效率。其卓越的性能还表现在自发热降低，从而增强可穿戴设备的用户舒适度。 具体而言，在 VGS = 4.5V 时，PMCB60XN 和 PMCB60XNE的最大 RDS（on） 分别为 50mΩ 和 55mΩ。因此，在市场上类似的 30V MOSFET 中， PMCB60XN 和 PMCB60XNE 单个芯片面积导通电阻最低。此外，PMCB60XNE 在集成于 1.0mm ×0.6mm×0.2mm 的 DSN1006 小型外形中，还可提供额定 2kV ESD 保护（人体模型 – HBM）。这两款 MOSFET 的额定漏极电流最高均可达 4A。 除了采用 DSN1006 封装的这两款 MOSFET 外，Nexperia（安世半导体）还推出了一款采用 DSN1010 封装的 12V N 沟道 Trench MOSFET PMCA14UN。PMCA14UN 在 VGS = 4.5 V 时的最大 RDS（on）为16mΩ，在 0.96mm ×0.96mm ×0.24mm（SOT8007） 尺寸下可具备市场领先的效率。 30V PMCB60XN 和 PMCB60XNE 以及 12V PMCA14UN 现已供货，可从 Nexperia（安世半导体）获得。 Nexperia （安世半导体） Nexperia（安世半导体），作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD 保护器件、MOSFET 器件、氮化镓场效应晶体管 （GaN FET） 以及模（找元器件现货上唯样商城）拟 IC 和逻辑 IC。Nexperia 总部位于荷兰奈梅亨，每年可交付 1000 多亿件产品，产品符合汽车行业的严苛标准。其产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面获得行业广泛认可，拥有先进的小尺寸封装技术，可有效节省功耗及空间。 凭借几十年来的专业经验，Nexperia 持续不断地为全球各地的优质企业提供高效的产品及服务，并在亚洲、欧洲和美国拥有超过 12,000 名员工。Nexperia 是闻泰科技股份有限公司 （600745.SS） 的子公司，拥有庞大的知识产权组合，并获得了 IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001 和 ISO 45001认证。
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