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中颖烧写/擦除抗干扰措施

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jf101|  楼主 | 2023-3-21 19:14 | 显示全部楼层 |阅读模式

由于程序代码中包含主程序区或 E2PROM 区等区域的擦除、编写功能的程序,当系统受到强干扰时,擦
除编写操作就具有一定的风险性。比如在做 ESD/EFT 试验时,程序可能会跑飞,如果直接从外部跑飞到擦除
编写代码处,可能会将非程序意图的改写或擦除,导致系统运行异常。
鉴于此原因,建议对 Flash 主程序区、EEPROM 区或其他区域操作时增加抗干扰措施:

(1) 由于只有当开始标志位 STRT@FLASH_CR 置 1,才会启动或等待 Flash 的擦除/烧写,所以在操作起
始的处增加软件标志,然后在开始标志位 STRT@FLASH_CR 置 1 前检查该软件标志是否匹配,如果标志位
不匹配,操作直接退出,因此不会启动烧写或擦除动作。

(2) 要充分利用 Flash 操作定时器的功能,可以在操作起始处启动 Flash 操作定时器,计算配置好允许操
作的窗口时间,使得程序正常运行到执行擦除或编写操作时,Flash 操作定时器计数值刚好在可执行的窗口范
围内,这样可以避免因程序跑飞导致的误操作。

(3) 尽量避免带参数的主程序区或 EEPROM 区烧写擦除子函数调用。因为程序跑飞时,参数是随机值,
容易误操作。所以建议主程序区或 EEPROM 区擦除子函数,不带参数,函数中对地址赋常值,擦除某固定扇
区。

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rankey| | 2023-3-24 09:03 | 显示全部楼层
这些操作应该没什么用
  关键是做好电路供电稳定性,尽量减小电源纹波。
   另外最主要的一条:做E2操作前,把强干扰源关闭,比如电机,这种东西最容易干扰电源。

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earlmax| | 2023-6-8 15:08 | 显示全部楼层
充分考虑电源对单片机的影响。              

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plsbackup| | 2023-6-8 15:19 | 显示全部楼层
采取相应的抗干扰措施,合理设计PCB布线

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uptown| | 2023-6-8 15:26 | 显示全部楼层
在进行烧写或擦除操作时,需要注意多种因素,并采取相应的抗干扰措施,从而确保芯片的可靠性和稳定性。

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hearstnorman323| | 2023-6-8 15:34 | 显示全部楼层
注意烧写或擦除时的环境温度、湿度等因素。

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bestwell| | 2023-6-8 15:59 | 显示全部楼层
电源做得好,整个电路的抗干扰就解决了一大半。

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1988020566| | 2023-6-8 16:05 | 显示全部楼层
抑制干扰的措施主要包括屏蔽、隔离、滤波、接地和软件处理等方法

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alvpeg| | 2023-6-8 16:13 | 显示全部楼层
各个关键部位配置适当的退藕电容,以提高电源回路的抗干扰能力。

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mikewalpole| | 2023-6-8 16:18 | 显示全部楼层
给单片机电源加滤波电路或稳压器

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cashrwood| | 2023-6-8 16:37 | 显示全部楼层
通过坚固的物理设计和选择高品质的电子元器件,以确保芯片在受到外部冲击、震动或振荡等干扰时仍能正常工作。

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ingramward| | 2023-6-8 16:45 | 显示全部楼层
采用经过测试和验证的编程器来烧写或擦除芯片,确保编程器本身没有漏洞和问题,同时要注意编程器与芯片之间的连接质量和稳定性。

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loutin| | 2023-6-8 16:53 | 显示全部楼层
在设计电路板时,合理布局并连接良好的接地线

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caigang13| | 2023-6-8 18:40 | 显示全部楼层
所以电磁兼容设计必须要考虑

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bestwell| | 2023-6-8 22:07 | 显示全部楼层
在进行烧写或擦除前,先备份芯片中的重要数据,以防止意外丢失或损坏。

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OKAKAKO| | 2023-11-12 18:55 | 显示全部楼层
抗干扰还得PCB设计

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中国龙芯CDX| | 2023-11-12 20:15 | 显示全部楼层
一定要先备份芯片中的重要数据

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