中颖烧写/擦除抗干扰措施

发表于 2023-3-21 19:14

由于程序代码中包含主程序区或 E2PROM 区等区域的擦除、编写功能的程序，当系统受到强干扰时，擦
除编写操作就具有一定的风险性。比如在做 ESD/EFT 试验时，程序可能会跑飞，如果直接从外部跑飞到擦除
编写代码处，可能会将非程序意图的改写或擦除，导致系统运行异常。
鉴于此原因,建议对 Flash 主程序区、EEPROM 区或其他区域操作时增加抗干扰措施：

(1) 由于只有当开始标志位 STRT@FLASH_CR 置 1，才会启动或等待 Flash 的擦除/烧写，所以在操作起
始的处增加软件标志，然后在开始标志位 STRT@FLASH_CR 置 1 前检查该软件标志是否匹配，如果标志位
不匹配，操作直接退出，因此不会启动烧写或擦除动作。

(2) 要充分利用 Flash 操作定时器的功能，可以在操作起始处启动 Flash 操作定时器，计算配置好允许操
作的窗口时间，使得程序正常运行到执行擦除或编写操作时，Flash 操作定时器计数值刚好在可执行的窗口范
围内，这样可以避免因程序跑飞导致的误操作。

(3) 尽量避免带参数的主程序区或 EEPROM 区烧写擦除子函数调用。因为程序跑飞时，参数是随机值，
容易误操作。所以建议主程序区或 EEPROM 区擦除子函数，不带参数，函数中对地址赋常值，擦除某固定扇
区。

发表于 2023-3-24 09:03

这些操作应该没什么用
关键是做好电路供电稳定性，尽量减小电源纹波。
另外最主要的一条：做E2操作前，把强干扰源关闭，比如电机，这种东西最容易干扰电源。

发表于 2023-6-8 15:08

充分考虑电源对单片机的影响。

发表于 2023-6-8 15:19

采取相应的抗干扰措施，合理设计PCB布线

发表于 2023-6-8 15:26

在进行烧写或擦除操作时，需要注意多种因素，并采取相应的抗干扰措施，从而确保芯片的可靠性和稳定性。

发表于 2023-6-8 15:34

注意烧写或擦除时的环境温度、湿度等因素。

发表于 2023-6-8 15:59

电源做得好，整个电路的抗干扰就解决了一大半。

发表于 2023-6-8 16:05

抑制干扰的措施主要包括屏蔽、隔离、滤波、接地和软件处理等方法

发表于 2023-6-8 16:13

各个关键部位配置适当的退藕电容，以提高电源回路的抗干扰能力。

发表于 2023-6-8 16:18

给单片机电源加滤波电路或稳压器

发表于 2023-6-8 16:37

通过坚固的物理设计和选择高品质的电子元器件，以确保芯片在受到外部冲击、震动或振荡等干扰时仍能正常工作。

发表于 2023-6-8 16:45

采用经过测试和验证的编程器来烧写或擦除芯片，确保编程器本身没有漏洞和问题，同时要注意编程器与芯片之间的连接质量和稳定性。

发表于 2023-6-8 16:53

在设计电路板时，合理布局并连接良好的接地线

发表于 2023-6-8 18:40

所以电磁兼容设计必须要考虑

发表于 2023-6-8 22:07

在进行烧写或擦除前，先备份芯片中的重要数据，以防止意外丢失或损坏。

发表于 2023-11-12 18:55

抗干扰还得PCB设计

发表于 2023-11-12 20:15

一定要先备份芯片中的重要数据

发表于 2025-8-30 15:09

中颖芯片烧写 / 擦除时，抗干扰措施包括：用带屏蔽的下载线，缩短线缆长度；烧写环境远离强电磁源；供电采用稳压电源并加滤波电容；操作时避免触碰芯片引脚；软件上添加校验机制，确保数据完整性。

发表于 2025-9-25 14:27

中颖烧写 / 擦除抗干扰措施：1. 供电端加电容滤波，确保电压稳定；2. 烧写线短短且屏蔽，减少电磁干扰；3. 擦写时禁用中断，避免程序干扰；4. 操作前关闭无关外设，降低噪声；5. 加校验机制，验证数据完整性；6. 环境远离强电磁源，如电机、高频设备。

发表于 2025-9-27 18:13

这些措施都很实用，尤其是软件标志位的检查，可以避免非预期的擦除或烧写操作。

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