[技术问答] 关于HK32F030MF4P6的EEPROM读写问题?

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 楼主| x1k2w3 发表于 2023-3-27 04:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
HK32F030MF4P6的EEPROM共448字节,每字写入数据的时候需要先擦除再写入,写入一个字节至少需要5MS,能否先把448个字节全部擦除,再根据需要写入相应的地址?有哪位大神帮忙解答一下。
 楼主| x1k2w3 发表于 2023-3-29 00:30 | 显示全部楼层
自己顶一下,没兄弟帮忙回复一下吗?
jimmhu 发表于 2023-4-4 21:15 | 显示全部楼层
复位后如何能够保持内部ram储存的数据?
bartonalfred 发表于 2023-4-4 21:19 | 显示全部楼层
如何使用HK32F030的Flash来模拟eeprom
linfelix 发表于 2023-4-4 21:33 | 显示全部楼层
flash模拟eeprom稳定吗
lzbf 发表于 2023-4-4 21:39 | 显示全部楼层
怎么使用HK32F030写IAP的bootloader和APP
adolphcocker 发表于 2023-4-4 21:57 | 显示全部楼层
模拟EEPROM模块的使用   
51xlf 发表于 2023-4-4 22:23 | 显示全部楼层
写flash一定要擦除一页吗               
mmbs 发表于 2023-4-4 22:29 | 显示全部楼层
HK32F030MF4P6是否有片内eeprom
iyoum 发表于 2023-4-7 09:39 | 显示全部楼层
内部有没有可以用来存储数据的EEPROM
wangdezhi 发表于 2023-4-7 10:17 | 显示全部楼层
HK32F030的硬件I2C稳定吗
mollylawrence 发表于 2023-4-7 18:30 | 显示全部楼层
其内置的eeprom如何使用?              
modesty3jonah 发表于 2023-4-7 18:36 | 显示全部楼层
eeprom 可写多少次               
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