FSMC扩展外部SRAM

typedef struct

{

  uint32_t FSMC_Bank;               //设置使用到的存储块标号和区号

  uint32_t FSMC_DataAddressMux;     //设置地址/数据复用使能，若设置为使能，那么地址的低 16 位

和数据将共用数据总线，仅对 NOR 和 PSRAM 有效

  uint32_t FSMC_MemoryType;          //设置存储器类型

  uint32_t FSMC_MemoryDataWidth;     //设置数据宽度

  uint32_t FSMC_BurstAccessMode;     //成组模式同步模式才需要设置

  uint32_t FSMC_AsynchronousWait;    //成组模式同步模式才需要设置

  uint32_t FSMC_WaitSignalPolarity;  //成组模式同步模式才需要设置

  uint32_t FSMC_WrapMode;            //成组模式同步模式才需要设置

  uint32_t FSMC_WaitSignalActive;    //成组模式同步模式才需要设置

  uint32_t FSMC_WriteOperation;      //设置写使能

  uint32_t FSMC_WaitSignal;          //成组模式同步模式才需要设置

  uint32_t FSMC_ExtendedMode;        //设置扩展模式使能位，也就是是否允许读写不同的时序

  uint32_t FSMC_WriteBurst;          //成组模式同步模式才需要设置



  FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_ReadWriteTimingStruct;//初始化片选控制寄存器FSMC_BTRx 

  FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef* FSMC_WriteTimingStruct;   //初始化写操作时序控制寄存器FSMC_BWTRx

}FSMC_NORSRAMInitTypeDef;

typedef struct

{

  uint32_t FSMC_AddressSetupTime;      //地址建立保持时间

  uint32_t FSMC_AddressHoldTime;       //地址保持时间

  uint32_t FSMC_DataSetupTime;         //数据建立时间



  uint32_t FSMC_BusTurnAroundDuration;  //总线周转期

  uint32_t FSMC_CLKDivision;           //分频系数

  uint32_t FSMC_DataLatency;           //



  uint32_t FSMC_AccessMode;            //模式

}FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef;

//使用NOR/SRAM的 BANK 4,地址位HADDR[27,26]=10 

//对IS61LV25616/IS62WV25616,地址线范围为A0~A17 

//对IS61LV51216/IS62WV51216,地址线范围为A0~A18

#define Bank1_SRAM3_ADDR    ((u32)(0x60000000 | 0x08000000))        

                                                     

//初始化外部SRAM

void FSMC_SRAM_Init(void)

{        

        FSMC_NORSRAMInitTypeDef  FSMC_NORSRAMInitStructure;

        FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef  readWriteTiming;

        GPIO_InitTypeDef  GPIO_InitStructure;

 RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG|RCC_APB2Periph_AFIO,ENABLE);

          RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

  

        GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF33;                                  //PORTD复用推挽输出 

         GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;                  //推挽输出

         GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;

         GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);



 

        GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xFF83;                                  //PORTE复用推挽输出 

         GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);



         GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0xF03F;                                  //PORTD复用推挽输出 

         GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);



        GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = 0x043F;                                  //PORTD复用推挽输出 

         GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);

 

                                             

         readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;         //地址建立时间（ADDSET）为1个HCLK 1/36M=27ns

    readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;         //地址保持时间（ADDHLD）模式A未用到        

    readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x03;                 //数据保持时间（DATAST）为3个HCLK 4/72M=55ns(对EM的SRAM芯片)         

    readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;

    readWriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;         //模式A 



    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;//  这里我们使用NE3 ，也就对应BTCR[4],[5]。

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable; 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType =FSMC_MemoryType_SRAM;//SRAM   

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存储器数据宽度为16bit  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode =FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low; 

        FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState; 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;        //存储器写使能 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; // 读写使用相同的时序

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable; 

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readWriteTiming; // 读写使用相同的时序

    FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &readWriteTiming;  // 读写使用相同的时序



    FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);  //初始化FSMC配置



           FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);  // 使能BANK3                                                                                  

                                                                                        

}

                                                                                                                            

//在指定地址开始,连续写入n个字节.

//pBuffer:字节指针

//WriteAddr:要写入的地址

//n:要写入的字节数

void FSMC_SRAM_WriteBuffer(u8* pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)

{

        for(;n!=0;n--)  

        {                                                                                    

                *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;          

                WriteAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.

                pBuffer++;

        }   

}                                                                                                                                                            

//在指定地址开始,连续读出n个字节.

//pBuffer:字节指针

//ReadAddr:要读出的起始地址

//n:要写入的字节数

void FSMC_SRAM_ReadBuffer(u8* pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)

{

        for(;n!=0;n--)  

        {                                                                                            

                *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);    

                ReadAddr+=2;//这里需要加2，是因为STM32的FSMC地址右移一位对其.加2相当于加1.

        }  

}