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关于mosfet击穿

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楼主
使用的2ED020I12FA驱动一个单相逆变H桥的4个mosfet管,运行一小会儿后会有一路桥臂击穿。通过示波器发现,虽然预留了死区,但上下管导通时另一个管会有很大的尖峰。分析认为是尖峰过大令本来关闭的mosfet管导通,导致电路短路,击穿mosfet。请问各位大佬有没有办法能改正?
  另外,R32、R33试着改成12R,波形没有改善。
2ED020I12FA
GS间电压值

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王栋春 2023-3-31 10:09 回复TA
@xch :这个不会操作。 
xch 2023-3-31 10:08 回复TA
打印成pdf文件再传 

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沙发
Siderlee| | 2023-3-31 08:49 | 只看该作者
这图还能在清晰点不

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板凳
jjjyufan| | 2023-3-31 09:08 | 只看该作者
还能搞个更模糊的图上来?
想看都没法
另外 PCB 图IGBT 部分也发来看看
你的驱动电源 波形看过?

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地板
王栋春|  楼主 | 2023-3-31 09:17 | 只看该作者
jjjyufan 发表于 2023-3-31 09:08
还能搞个更模糊的图上来?
想看都没法
另外 PCB 图IGBT 部分也发来看看

真不好意思,这图上传上去就这样,实在不好意思。

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zlf1208 2023-3-31 14:07 回复TA
打印成pdf文件,然后把文件传上来就很清楚了 
5
coody| | 2023-3-31 10:34 | 只看该作者
击穿大部分是因为过压,小概率是因为电容影响。

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王栋春 2023-3-31 10:36 回复TA
请教同行,他们表示过驱动也会出现这种情况,不知是不是真的? 
6
zlf1208| | 2023-3-31 14:18 | 只看该作者
本帖最后由 zlf1208 于 2023-3-31 15:50 编辑

原理图的MOS管使用了BJT的符号,管子的型号又看不清,假如三极管符号的基极是MOS管的栅极,那么上下二个管子的栅极直接连在一起,而楼主说加了死区控制,不知道这个死区是怎么实现的?
下面是2ED020I12FA规格书的截图,可知要加死区,上下桥臂的MOS管的栅极须单独驱动和控制。我的意思是楼主的电路根本无法实现死区控制。
驱动一个H桥,需要二片2ED020I12FA,这个芯片不能省。




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王栋春 2023-3-31 16:03 回复TA
多谢坛友赐教,学习吸收一下! 
7
zlf1208| | 2023-3-31 16:03 | 只看该作者
王栋春 发表于 2023-3-31 09:17
真不好意思,这图上传上去就这样,实在不好意思。

装个福昕pdf阅读器,会生成一个虚拟打印机,在打印的时候,选择这个虚拟打印机就可以打印出pdf文档

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王栋春 2023-3-31 16:04 回复TA
我回去试试看,现在在外面不方便! 
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