本篇实现基于叁芯智能科技的SANXIN -B02 FPGA开发板，如有入手开发板，可以登录官方淘宝店购买，还有配套的学习视频。
随机存取存储器(random access memory，RAM)又称作"随机存储器"。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(Dynamic RAM，DRAM)。在FPGA内部的存储块为SRAM。
设计一个深度为256，宽度为8的RAM。不需要初始化内容。
RAM，此种存储器支持写操作，支持读操作。在存储器建造时，可以进行初始化数据，也可以不进行初始化数据。RAM的初始化文件也是coe文件，原理和ROM类似。
由于设计RAM深度为256，故而地址的宽度为8位。
RAM工作原理为，在时钟上升沿采样到rden为1时，将addr所指示的存储空间的数据进行输出；在时钟上升沿采样到wren为1时，将wdata存储到addr所指示的存储空间中去。
此模块命名为ram_test。my_ram为ip core。
建好工程之后，右键点击工程，选择New Source，新建IP核。
找到对应路径，命名为my_ram。
打开IP核库之后，搜索Block Memory即可看到我们的RAM。
点击Next。
点击Finish。
点击Next。
选择默认的Single Port RAM。点击Next。
数据位宽为8，数据深度为256。Enable选择Always Enable。点击Next。
此界面的数据初始化我们不需要做，因为RAM的数据是我们自己写入的，不是提前固化好的，所以这个界面我们保持默认点击Next。
复位端口同样不使用，如果需要，可以勾选上。我们这里保持默认点击Next。
点击Generate。
顶层负责调用my_ram，例化文件在ipcore_dir -> my_ram.veo中。
设计代码为：
在某些地址中，写入一些数据，然后读出来。由于写进去后，还需要读出来，所以地址不在使用随机值，固定在0,100,200,255地址写入随机值。
仿真代码为：
经过设置后，进行RTL仿真。
通过波形图中，可以看出，在地址为0时，写入数据为36；在地址为100时，写入数据为129；在地址为200时，写入数据为9；在地址为255时，写入数据为99。经过一段时间后，对上述几个地址进行读取，输出的数据与写入数据相同（输出时，输出数据要比地址晚两拍）。
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