三星flash芯片K9F1208U0B 困惑迷茫

只看该作者 · 2008-6-2 12:06

最近在调试三星flash芯片K9F1208U0B的读写差除等程序
遇到一些问题，望知道的同行，前辈给小弟指点下，跪谢
问题是这样的“
假如我想差除第一块，执行差除函数（NF_Erase：调试的差除程序）
如果想成功差除，则在执行差除第一块的函数之前，再执行一次差除函数（差除任一块）
感觉两次执行差除函数是没什么关联的，一直想不通为什么，感觉是FLASH设置的问题，试了试也不行，指点下
写数据也出现同类的问题，很困惑，迷茫

下面是差除程序，望高手指点...
unsigned char NF_Erase(unsigned int block_addr)
  {
       unsigned char *p;
    unsigned char a;
    unsigned char addr[4];

    Baddrto4byteaddr(block_addr,addr);
    PORTD&=~(1<<flash_CE);//将CE信号清“0”，置为有效状态,片选使能

    NF_cmd(BK_ERASE_setsetup_CMD);

    NF_addr_single(addr[1]);//第二地址循坏A9~A16
    NF_addr_single(addr[2]);//第三地址循坏A17~A24
    NF_addr_single(addr[3]);//第三地址循坏A25

    NF_cmd(BK_ERASE_CMD);  //擦命令

    STATUS_RB();

    p=FLASHRE;
    a=*p;
    PORTD|=(1<<flash_CE);
    a&=0x01;

    return(a);
  }

只看该作者 · 2008-6-3 10:29

望知道的同行，前辈指点下
是不是FLASH得RESET什么的？

只看该作者 · 2008-6-3 23:47

只看该作者 · 2008-6-4 17:26

谢谢三楼的
我的问题是差除函数必须执行两次

NF_Erase(0xXX)；//XX是任意一块（整数）
NF_Erase(10)；

这样才可以把第10块差除

只看该作者 · 2008-6-4 21:24

ＵＯＢ和ＵＯＣ及ＵＯＭ好像有所区别，我以前用过一次，后来换了ＵＯＭ的稳定多了，不知道有没有同行也碰到过这种现象

只看该作者 · 2008-6-4 23:29

记得是不用擦两次的。
可能是时序不对，再细看一下手册以及别人的驱动。

只看该作者 · 2008-6-5 02:57

在这里设个断点，然后单步执行，看行不行？
NF_cmd(BK_ERASE_setsetup_CMD);

只看该作者 · 2008-6-5 09:42

可能是时序问题

只看该作者 · 2008-6-6 15:45

先谢谢各位指点呵呵
之前一直在调试一小段代码，只调试擦除模块，遇到上边所述问题，
因为第二次擦除可以成功擦除，感觉不是时序问题
自己感觉就是用 NF_Erase(0xXX)；//XX是任意一块（整数）
这个函数启动后面函数的执行，找不出这两次之间的联系，困惑
觉得是对K9F1208U0B设置的问题。

还有一个问题是：FLASH每个主页面有A区和B区
芯片手册上有关于多个PLAN一起编程时，有DUMMY和TURE两种
DUMMY可以节省数据写的时间，自己调试程序时想在一个页面里也用DUMMY跟TURE，想加快写速度，因为每次只能写256字节，FLASH一页有512字节，得写两次，但是调试程序时，DUMMY编程不成功（数据没写进去），想问下一个页面允许DUMMY操作吗？
感觉一个页面跟多个PLAN原理是一样的，谢谢~！

三星flash芯片K9F1208U0B 困惑 迷茫

相关下载

相关帖子

flash之迷茫困惑

很困惑，看不懂你的问题

flash

好像不同后缀有所区别

曾经修改过的一个产品用的是这个芯片

re：

顶顶