同步整流BUCK中下管Qrr损耗计算

2万 · 2023-4-17 22:23

在同步整流BUCK这种应用中，下管的体二极管会流过电流，所以必然会存在下管的体二极管带来的Qrr损耗问题。 1、下管的体二极管的Qrr带来的损耗为Qrr*Fsw*Vin，从公式来看这个功耗并不小。所以我想知道在实际应用中怎么得到真实或者比较接近的Qrr呢？(规格书中给出的Qrr都是特定工况下的，与实际偏差太大)
2、下管的体二极管的Qrr有什么比较好的办法预估吗？或者有什么资料说明这一块怎么计算比较准确吗？
3、如果想要改善下管的体二极管Qrr带来的损耗，可以直接在下管MOS的DS两端并联二极管吗？这种会有改善吗？看有些资料说并联二极管好像效果不大，这是为什么呢？ 4、如果下管直接外部并联二极管效果不大，那么二极管该怎么和下管MOS连接能提升效率呢？

1万 · 2023-4-18 23:20

总感觉有什么东西不对

先回答再说

1，2，双脉冲测试应该可以解决你的问题；

3，并联二极管的特性要比寄生的好。。。。例如sic或者gan；

几年前在一个大功率模块的内部，看见有并联肖特基二极管的；

4，你说的我不明白，但是“软开关”应该可以减小损耗；

1万 · 2023-4-20 09:48

3，并联二极管的特性要比寄生的好。。。。例如sic或者gan；

几年前在一个大功率模块的内部，看见有并联肖特基二极管的；

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更新一些内容，并联的肖特基二极管功率等级相对与对应的IGBT芯片小很多，但是靠近IGBT芯片，还有一个功率等级更大的二极管芯片，到那时位置相对较远

没有深入的研究为什么要这么做，估计跟Qrr有关

2万 · 2023-4-20 10:25

Siderlee 发表于 2023-4-20 09:48
3，并联二极管的特性要比寄生的好。。。。例如sic或者gan；

几年前在一个大功率模块的内部，看见有并 ...

俺对这方面的知识也是接触的很少，向各位坛友学习学习。

1万 · 2023-4-21 15:37

临界导通模式可以降低QRR损耗，换Qrr 小的器件。没有其他招了

同步整流BUCK中下管Qrr损耗计算

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