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SiC碳化硅MOSFET模块，提升逆变器、工业设备效率和小型化MG800FXF2YMS3

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Alin13|  楼主 | 2023-4-19 16:11 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
碳化硅, FET, MOS, MOSFET, ic, os, 碳化硅MOS
为达到175℃的通道温度，该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV（智能柔性封装低电压）封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。

# 应用

- 用于轨道车辆的逆变器和转换器
- 可再生能源发电系统
- 工业电机控制设备

# 特性

- 漏源额定电压：VDSS＝3300V
- 漏极额定电流：ID＝800A双通道
- 宽通道温度范围：Tch＝175°C
- 低损耗：

          E＝250mJ（典型值）

          E＝240mJ（典型值）

          VDS(on)sense＝1.6V（典型值）

- 低杂散电感：Ls＝12nH（典型值）
- 高功率密度的小型iXPLV封装
- 私信，可以提供样品测试

# 主要规格

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