外部高速时钟（HSE）支持两种工作模式：
• 石英晶体 / 陶瓷谐振器，设置外置高频晶体控制寄存器 SYSCTRL_HSE 的 MODE 位域为 0，同时须配置
OSC_IN、OSC_OUT 引脚为模拟功能。
• 外部时钟输入，设置外置高频晶体控制寄存器 SYSCTRL_HSE 的 MODE 位域为 1，同时须配置 OSC_IN 引脚
为数字输入功能。
石英晶体 / 陶瓷谐振器时钟模式外置石英晶体 / 陶瓷谐振器接在 OSC_IN 和 OSC_OUT 两个引脚之间，配合起振电容，产生稳定的 4~32MHz 时钟信号，电路连接如下图所示：
石英晶体 / 陶瓷谐振器和起振电容须尽可能靠近芯片振荡器引脚放置，使得振荡器输出失真和启动时间达到最小。起振电容取值大小须根据所选择的石英晶体 / 陶瓷谐振器进行调整，计算方法为：CL= ( CL1×CL2 ) / ( CL1 + CL2 ) + C0
其中，CL 为晶体标称负载电容值；C0 为杂散电容值，跟电路板设计相关，一般可取值 4pF ~ 6pF；CL1 和 CL2 为外接的 2 个起振电容，通常 CL1 和 CL2 相同。如用户采用标称负载电容值为 12.5pF 的晶体谐振器，则晶体外接的 2 个起振电容常见取值为 15pF。注：由于晶体厂家众多，各厂家晶体特性各不相同，如果 HSE 振荡器输出时钟信号不理想，可联系晶体供货厂家协调处理。
为保证 HSE 振荡器的性能，需要根据外接晶体的标称频率来设置外置高频晶体控制寄存器 SYSCTRL_HSE 的FREQRANGE 位域，如下表所示：
用户可以通过设置外置高频晶体控制寄存器 SYSCTRL_HSE 的 DRIVER 位域进行驱动能力调节，有四档驱动能力可选择，驱动能力越强功耗越大。用户可根据需要在时钟可靠性、启动时间以及低功率消耗三者之间取得平衡。
外部时钟输入模式
外部时钟输入模式下，外部时钟从 OSC_IN 引脚输入，OSC_OUT 引脚可以作为通用 GPIO 使用。输入的时钟信号可以是方波、正弦波或者三角波，占空比必须在 40% ~ 60% 之间，频率在 4 ~ 32MHz 之间。HSE 两种工作模式下，HSE 时钟振荡器上电后均默认处于关闭状态，通过设置系统控制寄存器 SYSCTRL_CR1 的HSEEN 位域为 1 启动。HSE 振荡器启动后，当芯片内部时钟监控模块检测到一定数量的 HSE 时钟信号，则认为 HSE 时钟已稳定。检测时钟数量可通过外置高频晶体控制寄存器 SYSCTRL_HSE 的 WAITCYCLE 位域进行设置，如下表所示：
通过外置高频晶体控制寄存器 SYSCTRL_HSE 的 STABLE 标志位，可确定 HSE 时钟的起振状态，STABLE 标志为1 则 HSE 时钟已稳定，为 0 则表示 HSE 时钟还未稳定。
注：HSE 振荡器应在启动前设置好所有参数，启动后禁止修改相关参数。
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