GD32E230 内部flash 可以擦除但不能写入

发表于 2023-4-24 11:20

最近使用GD32E230 进行开发，按照如下流程扇区擦除(成功)-》flash解锁后(成功)-》字写入（32bit写入,函数返回值表示写入成功）-》flash锁定，使用MDK 的memory窗查看flash 依然是FF FF FF FF。测试双字写入也是一样的。但是函数返回值提示写入并没有错误。大家帮我看看这是什么情况

发表于 2023-4-30 20:14

试试官方的例子，如果可以，那应该是操作错误，如果不行，那可能锁定了吧。

发表于 2023-5-5 09:55

用官方例程测试，记住写的区域不能和代码区域重叠，不能超出FLASH容量，不会有问题的，我用的就是这款，没任何问题

发表于 2023-5-16 09:56

好的，谢谢大家找到问题了，粗心没看实际芯片的尾缀，实际只有32K flash , 我以为是64K flash的芯片写到；了flash 区域以外

发表于 2023-5-16 13:38

时空vsxx 发表于 2023-5-16 09:56
好的，谢谢大家找到问题了，粗心没看实际芯片的尾缀，实际只有32K flash , 我以为是64K flash的芯片写到 ...

哈哈，那你这个确实是疏忽大意了。

发表于 2023-5-17 09:03

是不是楼主在做完擦除操作之后不小心锁上了flash啊

发表于 2023-5-17 10:56

V853 发表于 2023-5-16 13:38
哈哈，那你这个确实是疏忽大意了。

这么小的flash 其最小的操作单元是多大的呢

发表于 2023-5-17 11:56

V853 发表于 2023-5-16 13:38
哈哈，那你这个确实是疏忽大意了。

可是如果可以擦除的话在擦除的时候不会报错吗

发表于 2023-5-17 12:19

V853 发表于 2023-5-16 13:38
哈哈，那你这个确实是疏忽大意了。

超出其实际的大小的话会不会吧不应该擦除的位置擦除了呢

发表于 2023-5-17 13:29

呐咯密密发表于 2023-5-5 09:55
用官方例程测试，记住写的区域不能和代码区域重叠，不能超出FLASH容量，不会有问题的，我用的就是这款，没 ...

如何确定代码区域的地址呢？是否可以考虑复制代码出来擦掉后再写入？

发表于 2023-5-17 14:41

可以单独对超出的部分进行写保护防止误操作吗

发表于 2023-5-23 17:02

呐咯密密发表于 2023-5-5 09:55
用官方例程测试，记住写的区域不能和代码区域重叠，不能超出FLASH容量，不会有问题的，我用的就是这款，没 ...

您好，我们是GD的代理商，GD32E230C8T6这款你们有用到吗？我们有库存低价处理，不止是否有机会合作一下！

发表于 2023-5-23 20:51

有可能是MDK显示的问题，直接读出来比较数据是不是对的就OK了。

发表于 2023-6-13 15:20

磨砂发表于 2023-5-17 10:56
这么小的flash 其最小的操作单元是多大的呢

应该是4KB吧。

发表于 2023-6-13 15:20

八层楼发表于 2023-5-17 12:19
超出其实际的大小的话会不会吧不应该擦除的位置擦除了呢

往上的话，我感觉应该不会，往下就说不好了。

发表于 2023-6-13 15:21

晓伍发表于 2023-5-17 11:56
可是如果可以擦除的话在擦除的时候不会报错吗

可以重复擦除，有啥好报错的呢？

发表于 2023-7-24 15:52

在写入Flash后，处理器可能存在缓存，可能导致读回的数据并不是最新的。在执行写入后，可以使用（memory barrier）来刷新处理器的缓存，读取到的是最新的数据。

发表于 2023-7-24 15:52

也有可能是写入操作虽然函数返回值表示成功，但实际上并没有成功写入。这样的话可能需要检查写入函数的实现，确保写入操作成功了。

发表于 2023-7-24 15:53

数据的长度和地址等参数如果不正确，可能导致只有部分数据被写入。另外一部分可想而知，就没写进去。会导致错误

发表于 2024-1-14 13:30

请问你这个怎么解决的？我目前也是可以erase 但是写入失败。 flash大小也看了没有问题我直接写了 800000+ 2k的地方查看的

GD32E230 内部flash 可以擦除 但不能写入

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