1、Bank:指的是SDRAM分了几个块，这个在SDRAM芯片手册里面有说明，如W9812G6KH-6文档中列明Bank等于4，如下图：
2. RowAddr:SDRAM中每个bank单元每一页的地址，如W9812G6KH-6 一个Bank有4096个页，所以页地址占用12bit，故RowAddr=12。
3. ColAddr:SDRAM中每个Bank单元每一页中每一行的地址，如W9812G6KH-6 一个Bank有4096个页，每页有512行，所以行地址暂用9bit，故ColAddr=9，根据寄存器规范，PageSize需设置为0x001
4. RR: SDRAM的REFRESH_RATE，即刷新频率，根据W9812G6KH-6芯片手册，刷新周期为64mS,在150M时钟下,则一个clk=6.67nS, RR的计算公式为64000000(nS)/4096(页数量)/6.67nS(每一个clk的时间)=需要的clk数量。所以RR=0x926.
5. RFC（从刷新或加载模式到刷新或激活的最小CLK周期数）: SDRAM的手册有列明参数最小值，以W9812G6KH-6芯片手册为例，RFC最小值为60nS（图3）, 在MCU工作在150M时钟下，转换成寄存器值：RFC=60ns/6.67=8，即可得SDRAM需要的最小值8（图4）。
6. RP（从预充电到激活或刷新的最小CLK周期数）:SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RP=15nS，MCU端计算RP方法为RP=15nS/6.67=2.
7. RCD（从激活到读取或写入的最小CLK周期数）：SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RCD=15nS, MCU端计算RCD方法为RCD=15nS/6.67=2.
8. WR(从上次写入传输到预充电的最小CLK周期数): 固定为2.
9. RAS(从激活到预充电的最小CLK周期数): SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RCD=42nS, MCU端计算RAS方法为RAS=42nS/6.67=6.
10. RC(从激活到激活的最小CLK周期数): SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RC=60nS, MCU端计算RC方法为RC=60nS/6.67=8. 如下图
11. RRD(对于不同的bank,从激活到激活的最小CLK周期数): SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RRD=12nS, MCU端计算RRD方法为RRD=12nS/6.67=1.
12. XS(从自刷新退出到发出任何命令的最小CLK周期数减1): SDRAM手册会有写明，如W9812G6KH-6芯片RRD=72nS, MCU端计算XS方法为XS=72nS/6.67=10.
13. CASLatency:等于3或者2.
14. RD_Delay: 等于CASLatency、或等于CASLatency+1. |
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