次级二极管的RC吸收对原边MOS的Vds的影响

2万 · 2023-5-3 22:23

看到有帖子和资料里说，调整副边的二极管的RC吸收参数会对原边MOS的Vds尖峰有改善，这个从原理上怎么理解呢？

2万 · 2023-5-6 22:56

建议：

1，什么帖子，什么资料，给个链接，这样有助于大家一起帮着理解
2，什么拓扑？不通的拓扑可能不一样

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我的思路（没有验证）
--尖峰产生的原因：
  快速变化的电流产生的di/dt在寄生电感上产生的电动势
--大概的猜测
  基于上面的原因，di/dt减小，Vds关断的尖峰应该就会小
  副边的整流二极管加上吸收以后，有主意改善电流换流时二极管的di/dt，这样的电流反馈到原边，同样di/dt也会改善，自然Vds的尖峰就会变小

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上面的思路是二极管整流，硬开关，非谐振电路

次级二极管的RC吸收对原边MOS的Vds的影响

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